| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·研究背景与意义 | 第9-12页 |
| ·AlGaN/GaN HEMTs 国内外研究现状 | 第12-16页 |
| ·钝化层技术 | 第12页 |
| ·场板技术 | 第12-13页 |
| ·减小缓冲层漏电流技术 | 第13-15页 |
| ·衬底转移技术 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 器件基本原理与仿真模型 | 第18-32页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件极化效应 | 第18-21页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件 2DEG 来源 | 第21-23页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件工作原理 | 第23-24页 |
| ·器件仿真基本方程 | 第24-27页 |
| ·泊松方程 | 第25页 |
| ·连续性方程 | 第25页 |
| ·输运方程 | 第25-27页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件仿真模型 | 第27-32页 |
| ·载流子统计模型 | 第27页 |
| ·复合模型 | 第27-28页 |
| ·迁移率模型 | 第28-32页 |
| 第三章 基于 RESURF 技术的 AlGaN/GaN HEMT 器件研究 | 第32-44页 |
| ·器件结构和仿真模型 | 第32-34页 |
| ·缓冲层掺 p 型杂质原理探讨 | 第34-38页 |
| ·RESUEF 效应 | 第34-35页 |
| ·pn 结隔离效应 | 第35-38页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件缓冲层中 p 型杂质浓度和栅漏间距的关系 | 第38-43页 |
| ·直流特性 | 第38-39页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件 p 型掺杂浓度的优化 | 第39-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 新结构的仿真 | 第44-57页 |
| ·带有 pn 结复合缓冲层的 AlGaN/GaN HEMT 器件 | 第44-51页 |
| ·器件结构与仿真模型 | 第44-45页 |
| ·pn 结复合缓冲层技术原理 | 第45-47页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件采用 pn 结复合缓冲层研究讨论 | 第47-51页 |
| ·沟道层中带有 P+掺杂区域的 AlGaN/GaN HEMT 器件仿真 | 第51-56页 |
| ·原理介绍 | 第51-52页 |
| ·器件结构 | 第52-53页 |
| ·仿真结果与分析 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 攻读硕士期间取得的相关研究成果 | 第66-67页 |
