一种CBSLOP LDMOS及其源极浮动SENSE FET器件设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·课题背景 | 第9-11页 |
| ·国内外发展动态和研究现状 | 第11-17页 |
| ·高压 LDMOS 器件概述 | 第11-12页 |
| ·超结技术的发展 | 第12-14页 |
| ·SENSE FET 电流检测技术 | 第14-17页 |
| ·本文的主要工作 | 第17-18页 |
| 第二章 器件耐压技术基础 | 第18-28页 |
| ·击穿电压与比导通电阻 | 第18-20页 |
| ·击穿电压 | 第18-20页 |
| ·比导通电阻 | 第20页 |
| ·RESURF 原理 | 第20-22页 |
| ·横向器件的结终端技术 | 第22-27页 |
| ·平面结终端技术 | 第22-24页 |
| ·横向曲率结终端技术 | 第24-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 CBSLOPLDMOS 特性分析 | 第28-47页 |
| ·CBSLOP LDMOS 器件 | 第29-40页 |
| ·阈值特性 | 第31-33页 |
| ·漂移区浓度对器件特性的影响 | 第33-34页 |
| ·CBSLOP 电荷平衡特性 | 第34-35页 |
| ·CBSLOP 浓度、结深和宽度对器件的影响 | 第35-37页 |
| ·场板对器件耐压的影响 | 第37-40页 |
| ·曲率部分设计 | 第40-44页 |
| ·参数 LP-body对器件耐压的影响 | 第41-42页 |
| ·参数 LP对器件耐压的影响 | 第42-43页 |
| ·衬底浓度 Nsub对器件耐压的影响 | 第43-44页 |
| ·衔接部分设计 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 源极浮动 SENSE FET 研究 | 第47-55页 |
| ·SENSE FET 电流检测技术 | 第47-49页 |
| ·源极浮动横向 SENSE FET 器件 | 第49-53页 |
| ·仿真分析 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 版图设计及流片测试结果 | 第55-60页 |
| ·工艺流程介绍 | 第55-56页 |
| ·版图设计 | 第56-57页 |
| ·流片结果 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第66-67页 |
