| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·4H-SIC MESFETS 的优势和研究意义 | 第8-10页 |
| ·4H-SIC MESFET 研究现状与存在的问题 | 第10-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-11页 |
| ·4H-SiC MESFET 研究过程中存在的问题 | 第11-12页 |
| ·本文主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 4H-SIC MESFET 的外延结构与生长技术研究 | 第14-24页 |
| ·DFM 软件和 STATA 模型 | 第14-16页 |
| ·DFM 软件简介 | 第14页 |
| ·Statz 模型 | 第14-16页 |
| ·4H-SIC MESFET 的沟道层结构设计 | 第16-20页 |
| ·4H-SIC MESFET 的缓冲层结构设计 | 第20-22页 |
| ·本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 4H-SIC MESFET 工艺流程与版图设计 | 第24-32页 |
| ·4H-SIC MESFET 器件设计流程 | 第24-25页 |
| ·4H-SIC MESFET 制备的标准工艺流程 | 第25-26页 |
| ·4H-SIC MESFET 版图设计与 PCM 设计规则 | 第26-31页 |
| ·芯片的版图设计 | 第26页 |
| ·PCM 版图设计规则 | 第26-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 多凹槽栅 4H-SIC MESFET 设计与器件制备 | 第32-42页 |
| ·多凹槽栅 4H-SIC MESFET 器件结构 | 第32-33页 |
| ·多凹槽栅结构设计与优化 | 第33-35页 |
| ·多凹槽栅结构 4H-SIC MESFET 关键工艺研究 | 第35-38页 |
| ·体标记工艺 | 第35-36页 |
| ·低损伤刻蚀工艺 | 第36页 |
| ·刻蚀损伤恢复工艺 | 第36-38页 |
| ·器件制备与测试结果 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第五章 结束语 | 第42-44页 |
| 致谢 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第48-49页 |
| 一、攻读硕士期间参加的科研项目 | 第48页 |
| 二、攻读硕士期间完成的学术论文及专利 | 第48页 |
| 三、攻读硕士期间获得的荣誉 | 第48-49页 |
