| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| ·简介 | 第12-13页 |
| ·CMOS 器件尺寸等比例缩小的物理极限 | 第13-21页 |
| ·器件尺寸等比例缩小和功率损耗 | 第13-16页 |
| ·栅氧化层的隧穿效应 | 第16-17页 |
| ·高κ叠栅结构技术 | 第17-19页 |
| ·原子层物理淀积(ALD)技术的优势 | 第19-21页 |
| ·高κ栅介质对迁移率的影响 | 第21-27页 |
| ·高κ栅介质与迁移率退化 | 第21-22页 |
| ·高κ栅介质材料与可替代 Si 的沟道材料的集成 | 第22-24页 |
| ·高κ栅介质与可替代沟道材料 Ge 的界面 | 第24-25页 |
| ·CMOS 技术的改进和替代 | 第25-27页 |
| ·本文的主要研究工作与创新 | 第27-30页 |
| ·本论文的主要工作 | 第27-29页 |
| ·本论文的主要创新点 | 第29-30页 |
| 第二章 HfO_2/SiO_2叠层栅结构的 ALD 制备与工艺优化 | 第30-46页 |
| ·高κ栅介质 HfO_2的优越性和面临的挑战 | 第30-32页 |
| ·选取高κ氧化物作为栅介质的标准 | 第30-31页 |
| ·HfO_2面临的问题 | 第31-32页 |
| ·HfO_2/SiO_2叠层栅结构的 ALD 制备 | 第32-43页 |
| ·ALD 制备 HfO_2/SiO_2叠层栅结构的反应机理 | 第32-34页 |
| ·ALD 生长 HfO_2/SiO_2叠层栅结构前的样品制备 | 第34页 |
| ·臭氧浓度对 HfO_2/SiO_2叠层栅结构的影响 | 第34-39页 |
| ·生长温度和不同氧化剂对 HfO_2/SiO_2叠层栅结构的影响 | 第39-43页 |
| ·本章小结 | 第43-46页 |
| 第三章 HfO_2/SiO_2叠层栅 MOS 电容特性表征与分析 | 第46-70页 |
| ·H_2O 或 O3生长的 HfO_2/SiO_2叠层栅结构的制备 | 第46页 |
| ·HfO_2/SiO_2叠层栅结构的特性分析 | 第46-60页 |
| ·表面粗糙度 | 第46-48页 |
| ·厚度测试与分析 | 第48-49页 |
| ·XPS 测试结果分析 | 第49-52页 |
| ·HfO_2/Si 结构的价带带阶 | 第52-56页 |
| ·HfO_2/SiO_2叠栅 MOS 电容 C-V 测试 | 第56-57页 |
| ·HfO_2/SiO_2叠栅 MOS 电容 I-V 测试 | 第57-60页 |
| ·混合氧化剂工艺生长 HfO_2/SiO_2叠栅结构 | 第60-68页 |
| ·混合氧化剂生长 HfO_2/SiO_2叠栅结构的原理 | 第60-61页 |
| ·混合氧化剂工艺 ALD 生长 HfO_2/SiO_2结构 | 第61-63页 |
| ·混合氧化剂生长的 HfO_2/SiO_2叠栅 MOS 器件特性分析 | 第63-66页 |
| ·HfO_2/SiO_2界面电偶极子的评估 | 第66-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 Ge 上高κ叠层栅结构的 ALD 制备与性能分析 | 第70-84页 |
| ·高κ/Ge 衬底的研究背景与挑战 | 第70-71页 |
| ·高κ/Ge 衬底的研究背景 | 第70-71页 |
| ·Ge 衬底生长高κ栅介质的问题 | 第71页 |
| ·HfO_2/GeO_2叠层栅结构的 ALD 制备 | 第71-77页 |
| ·HfO_2/GeO_2叠层栅结构的制备 | 第71-72页 |
| ·HfO_2/GeO_2叠层栅结构的 AFM 表征 | 第72-73页 |
| ·HfO_2/GeO_2叠层栅结构的 XPS 测试 | 第73-76页 |
| ·HfO_2/GeO_2叠层栅结构中界面层厚度测试 | 第76页 |
| ·HfO_2/GeO_2叠层栅结构的 C-V 测试 | 第76-77页 |
| ·HfO_2/GeO_2/Ge 结构中 GeO 挥发的验证 | 第77-83页 |
| ·实验设计与方法 | 第77-78页 |
| ·GeO 挥发实验的测试结果与分析 | 第78-80页 |
| ·HfO_2/GeO_2/Ge 结构中 GeO 的形成原理 | 第80页 |
| ·GeO 的挥发对 HfO_2/GeO_2/Ge 结构的影响 | 第80-82页 |
| ·抑制 GeO 挥发的方法 | 第82-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第五章 SRPO 预处理对高κ/Ge 结构特性的影响与改进措施 | 第84-100页 |
| ·SRPO 技术的提出原理 | 第84-86页 |
| ·SRPO 技术的提出和原理 | 第84-86页 |
| ·SRPO 技术的进一步研究 | 第86页 |
| ·SRPO 对 HfO_2/SiO_2叠层栅结构特性的改善 | 第86-93页 |
| ·实验原理与制备 | 第86-87页 |
| ·样品测试与结果分析 | 第87-93页 |
| ·SRPO 技术在 HfO_2/Ge 结构的应用 | 第93-98页 |
| ·改进的 SRPO 技术与样品制备 | 第93-94页 |
| ·HfO_2/GeO_2/Ge 结构退火前后的物理特性 | 第94-96页 |
| ·HfO_2/GeO_2/Ge 结构退火前后的电学特性 | 第96-98页 |
| ·本章小结 | 第98-100页 |
| 第六章 结束语 | 第100-104页 |
| ·结论 | 第100-102页 |
| ·展望 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-118页 |
| 作者攻读博士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第118-120页 |
