600V功率VD-MOSFET器件仿真
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| ·课题的研究背景 | 第8-10页 |
| ·VD-MOSFET的国内外发展状况 | 第10-16页 |
| ·本文的研究内容和章节安排 | 第16-18页 |
| 2 数值计算方程和物理模型 | 第18-23页 |
| ·数值计算的基本方程 | 第18-19页 |
| ·泊松方程 | 第18页 |
| ·输运方程 | 第18-19页 |
| ·连续性方程 | 第19页 |
| ·数值计算的物理模型 | 第19-22页 |
| ·基本载流子统计模型 | 第19-20页 |
| ·迁移率模型 | 第20-21页 |
| ·载流子产生-复合模型 | 第21-22页 |
| ·碰撞电离模型 | 第22页 |
| ·数值计算的基本方法 | 第22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 3 VD-MOSFET的工作原理与元胞设计 | 第23-38页 |
| ·VD-MOSFET的工作原理 | 第23-31页 |
| ·VD-MOSFET的电学特性 | 第23-27页 |
| ·VD-MOSFET的主要电学参数 | 第27-31页 |
| ·VD-MOSFET的元胞设计 | 第31-37页 |
| ·VD-MOSFET的元胞图形设计 | 第31-32页 |
| ·VD-MOSFET的元胞参数设计 | 第32-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 4 VD-MOSFET的工艺仿真 | 第38-53页 |
| ·VD-MOSFET的工艺流程方案 | 第38-43页 |
| ·VD-MOSFET的工艺模拟验证 | 第43-49页 |
| ·掩膜版设计 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 5 VD-MOSFET的特性仿真 | 第53-61页 |
| ·VD-MOSFET的特性仿真与分析 | 第53-56页 |
| ·转移特性 | 第53-54页 |
| ·输出特性 | 第54-55页 |
| ·击穿特性 | 第55-56页 |
| ·VD-MOSFET特性影响因素分析 | 第56-60页 |
| ·栅氧厚度对转移特性的影响 | 第56-57页 |
| ·P阱掺杂浓度对转移特性的影响 | 第57-58页 |
| ·外界温度对器件特性的影响 | 第58-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
