| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 概述 | 第10-11页 |
| ·国内外研究状况 | 第11-14页 |
| ·GaN HEMT 器件动态 | 第11-13页 |
| ·GaN HEMT 模型动态 | 第13-14页 |
| ·本文的主要工作及意义 | 第14-16页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 基本原理 | 第16-23页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的工作原理 | 第16-18页 |
| ·极化效应 | 第16-17页 |
| ·二维电子气产生机理 | 第17-18页 |
| ·HEMT 器件热特性 | 第18-19页 |
| ·微波功率 FET 相关技术指标 | 第19-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 物理建模和新结构设计 | 第23-46页 |
| ·数值仿真物理模型及参数 | 第23-28页 |
| ·基本方程 | 第23-24页 |
| ·迁移率模型 | 第24-25页 |
| ·碰撞电离模型 | 第25-26页 |
| ·载流子产生-复合模型 | 第26-27页 |
| ·杂质不完全电离模型 | 第27页 |
| ·晶格热模型 | 第27-28页 |
| ·GaN HEMT 器件新结构与特性分析 | 第28-43页 |
| ·GaN HEMT 本地栅掺杂结构特性分析 | 第28-35页 |
| ·栅边缘凹槽型源场板结构 GaN HEMT 特性分析 | 第35-39页 |
| ·不对称 Y 形栅 GaN HEMT 特性分析 | 第39-43页 |
| ·自热效应分析 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 大信号建模 | 第46-56页 |
| ·GaN HEMT 小信号等效电路模型 | 第46-48页 |
| ·GaN HEMT 大信号模型及参数提取 | 第48-50页 |
| ·GaN HEMT 直流 I-V 特性经验模型 | 第48-49页 |
| ·GaN HEMT 非线性电容模型 | 第49-50页 |
| ·大信号缩放模型 | 第50-53页 |
| ·大信号模型的验证 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 功率放大器设计与实现 | 第56-65页 |
| ·S 波段功率放大器设计与实现 | 第56-64页 |
| ·直流工作点扫描和偏置电路设计 | 第56-57页 |
| ·稳定性及匹配电路设计 | 第57-59页 |
| ·电路整体仿真 | 第59-61页 |
| ·S 波段功率放大器的实现及测试 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第六章 总结 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第73-74页 |