| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-13页 |
| ·课题的研究背景及意义 | 第8-11页 |
| ·GaN MOSFET的国内外研究现状 | 第11-12页 |
| ·论文的研究思想及研究内容 | 第12-13页 |
| 2 GaN MOSFET的设计及制作 | 第13-21页 |
| ·GaN MOSFET的器件结构设计 | 第13-15页 |
| ·GaN MOSFET的制作 | 第15-21页 |
| 3 GaN MOSFET表征方法的分析及改进 | 第21-39页 |
| ·测试项目 | 第21-23页 |
| ·基本测试项目及目的 | 第21-22页 |
| ·测试仪器及测试条件 | 第22-23页 |
| ·GaN MOSFET沟道迁移率的测试方法研究 | 第23-33页 |
| ·电容跨导法的基本原理及存在的问题 | 第23-28页 |
| ·GaN MOSFET迁移率提取方法的改进 | 第28-33页 |
| ·GaN MOSFET界面态密度的测试方法研究 | 第33-37页 |
| ·MOSFET亚阈值特性提取界面态密度的原理 | 第33-35页 |
| ·界面态提取过程中的问题及解决方法 | 第35-37页 |
| ·TLM测试原理 | 第37-39页 |
| 4. GaN MOSFET工艺依赖性研究 | 第39-56页 |
| ·ICP干法刻蚀实验结果及分析 | 第39-43页 |
| ·沟槽附近过度刻蚀现象的发现 | 第39-40页 |
| ·过度刻蚀的分析解决及刻蚀条件的优化 | 第40-43页 |
| ·GaN MOSFET性能表征分析 | 第43-55页 |
| ·GaN MOSFET器件结构依赖性 | 第43-48页 |
| ·GaN MOSFET干法刻蚀工艺依赖性 | 第48-55页 |
| ·GaN MOSFET工艺依赖性的主要性能参数总结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |