| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·课题研究背景 | 第9-16页 |
| ·电力电子技术及其应用 | 第9页 |
| ·电力电子器件 | 第9-13页 |
| ·LDMOS 的国内外发展概况 | 第13-16页 |
| ·OPTVLD 技术发展历程 | 第16-17页 |
| ·SJ 技术发展历程 | 第17-19页 |
| ·课题研究意义及本文主要工作 | 第19-21页 |
| 第二章 LDMOS 及 SJ 结构相关理论 | 第21-40页 |
| ·LDMOS 理论 | 第21-32页 |
| ·LDMOS 的击穿电压 | 第21-25页 |
| ·LDMOS 的比导通电阻 | 第25-32页 |
| ·常见的 LDMOS 漂移区设计方法 | 第32-38页 |
| ·体硅 RESURF 技术 | 第32-35页 |
| ·超结技术在 RESURF-LDMOS 中的应用 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 优化横向变掺杂技术 | 第40-49页 |
| ·优化横向变掺杂的基本原理 | 第40-41页 |
| ·OPTVLD 曲线的解析 | 第41-42页 |
| ·OPTVLD 曲线的实现方法 | 第42-43页 |
| ·OPTVLD 技术在 LDMOS 中的应用 | 第43-44页 |
| ·仿真验证 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 同时应用 SJ 技术及 OPTVLD 技术优化 LDMOS 的研究 | 第49-64页 |
| ·1D SJ-OPTVLD-LDMOS 器件 | 第49-55页 |
| ·2D SJ-OPTVLD-LDMOS 器件的设计 | 第55-56页 |
| ·两种结构对比 | 第56-59页 |
| ·耐压对比 | 第56-58页 |
| ·比导通电阻对比 | 第58-59页 |
| ·工艺流程 | 第59-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第70-71页 |