肖特基接触有机场效应晶体管器件模型研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-17页
·有机场效应管材料	第7-9页
·P型有机半导体材料	第7-8页
·n型有机半导体材料	第8-9页
·OFET结构	第9-12页
·平面结构OFET	第10-11页
·垂直结构OFET	第11-12页
·OFET的工作模式	第12-15页
·本论文研究的目的和主要内容	第15-17页
第二章 非线性方程的数值解法	第17-23页
·对分法	第17-18页
·牛顿法	第18-20页
·弦截法	第20-23页
第三章 肖特基接触OFET器件模型	第23-35页
·有机半导体内电流传输模型	第25-27页
·金属-半导体界面电流注入模型	第27-28页
·注入电流与传输电流的自洽模型	第28-35页
·OFET非线性注入模型假设	第29-30页
·OFET注入与传输的电流连续过程	第30-35页
第四章 OFET非线性特性结果与讨论	第35-45页
·OFET非线性输出特性	第35-36页
·OFET中注入电场强度与耗尽层电势降	第36-37页
·OFET实验数据与模拟	第37-39页
·OFET中的阈值电压和场效应迁移率	第39-45页
·阈值电压和场效应迁移率的提取方法	第39页
·接触电阻对阈值电压和场效应迁移率的影响	第39-41页
·接触势垒对阈值电压和场效应迁移率的影响	第41-43页
·有效态密度对阈值电压和场效应迁移率的影响	第43-45页
第五章 总结与展望	第45-47页
·总结	第45-46页
·展望	第46-47页
参考文献	第47-51页
附录 有机场效应晶体管模型物理符号解析表	第51-52页
在学期间发表论文	第52-53页
致谢	第53页