功率MOS器件模型的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第6-13页 |
| ·功率器件发展概况 | 第6-7页 |
| ·功率MOS器件的发展 | 第7-11页 |
| ·本课题研究意义 | 第11-12页 |
| ·本文主要工作 | 第12-13页 |
| 第2章 功率MOS器件特性研究 | 第13-26页 |
| ·基于Tsuprem-4功率MOS工艺的研究 | 第14-18页 |
| ·基于MEDICI功率MOS器件特性的研究 | 第18-26页 |
| 第3章 功率MOS器件模型的设计 | 第26-55页 |
| ·LDMOS器件模型的研究 | 第26-45页 |
| ·LDMOS器件原理 | 第26-28页 |
| ·LDMOS电学参数 | 第28-31页 |
| ·LDMOS模型的提出与建立 | 第31-43页 |
| ·计算结果比较 | 第43-45页 |
| ·VDMOS器件模型的研究 | 第45-55页 |
| ·VDMOS器件原理 | 第46-47页 |
| ·VDMOS电学参数 | 第47-49页 |
| ·VDMOS模型的提出与建立 | 第49-52页 |
| ·计算结果比较 | 第52-55页 |
| 第4章 功率MOS的等效电路模型的研究 | 第55-59页 |
| ·功率MOS等效电路模型的建立 | 第55页 |
| ·功率MOS等效电路模型的嵌入 | 第55-57页 |
| ·功率MOS等效电路模型的验证 | 第57-59页 |
| 第5章 总结和展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 申请学位期间的研究成果及发表的学术论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |