| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·本文研究背景 | 第10页 |
| ·国内外发展动态 | 第10-13页 |
| ·本文研究内容及主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 GaN 材料特性与功率半导体技术 | 第15-27页 |
| ·GaN 材料与 AlGaN/GaN 异质结特性简介 | 第15-17页 |
| ·GaN 材料特性 | 第15-16页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料特性 | 第16-17页 |
| ·GaN 基功率器件基本结构及工作原理 | 第17-27页 |
| ·功率开关器件基本结构及工作原理 | 第18-23页 |
| ·功率整流器的基本结构与工作原理 | 第23-27页 |
| 第三章 基于能带调制技术的器件 RESURF 区的优化设计 | 第27-59页 |
| ·结终端技术原理 | 第27-30页 |
| ·RESURF 原理 | 第27-28页 |
| ·AlGaN/GaN HFET 场板原理 | 第28-30页 |
| ·耗尽型器件的 RESURF 仿真优化 | 第30-48页 |
| ·有 RESURF 区无场板的器件结构 | 第30-31页 |
| ·仿真结果与分析 | 第31-39页 |
| ·有 RESURF 区与 场板的器件结构 | 第39-40页 |
| ·仿真结果与分析 | 第40-48页 |
| ·增强型器件的 RESURF 仿真优化 | 第48-59页 |
| ·能带调制模型与器件结构和制造 | 第49-51页 |
| ·仿真结果与分析 | 第51-55页 |
| ·实验与结果 | 第55-58页 |
| ·结论 | 第58-59页 |
| 第四章 利用能带调制技术减小栅极正向泄露电流 | 第59-68页 |
| ·异质结能带结构的调制模型 | 第59-63页 |
| ·仿真结果 | 第63-64页 |
| ·实验结果 | 第64-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-70页 |
| ·本文的主要贡献 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第76-77页 |