| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-22页 |
| ·宽禁带半导体材料及其器件的研究意义 | 第14-16页 |
| ·AlGaN/GaN 型MOS-HEMT 器件 | 第16-17页 |
| ·原子层淀积Al_20_3 凹栅型MOS-HEMT 器件 | 第17-18页 |
| ·本文的主要工作和安排 | 第18-22页 |
| 第二章 GaN 基MOS-HEMT 器件的设计及工艺 | 第22-40页 |
| ·异质结材料的生长 | 第23页 |
| ·MOS-HEMT 器件的设计 | 第23-28页 |
| ·MOS-HEMT 器件的电学特性 | 第23-24页 |
| ·MOS-HEMT 器件结构的设计 | 第24-28页 |
| ·样片表面清洗 | 第28-29页 |
| ·欧姆接触 | 第29-30页 |
| ·Mesa 台面隔离 | 第30-31页 |
| ·器件表面钝化和槽栅刻蚀 | 第31-33页 |
| ·原子层淀积Al_20_3 高k 介质和栅极金属的蒸发 | 第33-35页 |
| ·电镀和空气桥 | 第35-37页 |
| ·空气桥牺牲层工艺优化 | 第35-36页 |
| ·电镀参数的优化 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-40页 |
| 第三章 凹栅刻蚀深度对原子层淀积Al_20_3介质MOS-HEMT 器件性能的影响. | 第40-70页 |
| ·AlGaN/GaN MOS 电容特性研究 | 第40-46页 |
| ·凹栅结构MOS 电容对CV 曲线的影响 | 第40-42页 |
| ·凹栅槽深度对载流子分布的影响 | 第42-43页 |
| ·凹栅结构MOS 电容中产生的界面态 | 第43-46页 |
| ·凹槽栅结构MOS-HEMT 的直流特性 | 第46-50页 |
| ·凹栅结构的MOS-HEMT 器件输出特性 | 第46-47页 |
| ·凹栅结构的MOS-HEMT 器件转移特性 | 第47-49页 |
| ·凹栅MOS-HEMT 器件栅电流特性 | 第49-50页 |
| ·凹栅结构MOS-HEMT 器件击穿特性 | 第50-52页 |
| ·凹栅结构对MOS-HEMT 器件早期电学特性退化的改善 | 第52-55页 |
| ·凹栅结构MOS-HEMT 器件的交流特性 | 第55-62页 |
| ·栅漏同步脉冲条件下的电流崩塌效应 | 第56-60页 |
| ·栅极脉冲测试 | 第60-62页 |
| ·凹栅结构MOS-HEMT 器件的频率特性 | 第62-65页 |
| ·凹栅结构MOS-HEMT 器件功率测试 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-70页 |
| 第四章 等离子体处理对凹栅MOS-HEMT 器件性能的影响 | 第70-92页 |
| ·栅极等离子体处理对AlGaN/GaN-HEMT 电容的影响 | 第70-75页 |
| ·测试所用HEMT 电容的结构 | 第70-71页 |
| ·等离子处理对HEMT 电容的影响 | 第71-73页 |
| ·栅极氧化处理后的X 射线光发射谱 | 第73-74页 |
| ·等离子体处理对肖特基特性的影响 | 第74-75页 |
| ·等离子体处理对HEMT 器件直流特性的影响 | 第75-79页 |
| ·测试所用HEMT 器件结构 | 第76页 |
| ·等离子体处理对HEMT 器件输出特性的影响 | 第76-78页 |
| ·等离子体处理对HEMT 器件转移特性的影响 | 第78-79页 |
| ·等离子体处理对HEMT 器件脉冲I-V 特性的影响 | 第79-85页 |
| ·电流崩塌测试 | 第79-83页 |
| ·电流崩塌的脉冲宽度与陷阱响应的相关性研究 | 第83-84页 |
| ·HEMT 器件的瞬态特性 | 第84-85页 |
| ·0_2 等离子体处理对凹栅介质MOS-HEMT 器件性能的影响 | 第85-89页 |
| ·0_2 等离子体处理对凹栅MOS 电容的影响 | 第86-87页 |
| ·0_2 等离子体处理对器件栅极特性的影响 | 第87-88页 |
| ·0_2 等离子体处理对电流崩塌效应的影响 | 第88页 |
| ·等离子体处理对凹栅MOS-HEMT 器件的频率特性的影响 | 第88-89页 |
| ·本章小结 | 第89-92页 |
| 第五章 AlGaN/GaN/Al_(0.07)Ga_(0.93)N(buffer)凹栅型MOS-HEMT 器件的研制 | 第92-112页 |
| ·AlGaN/GaN/Al_(0.07)Ga_(0.93)N(buffer)异质结材料分析 | 第92-94页 |
| ·AlGaN/GaN/Al_(0.07)Ga_(0.93)N(buffer)凹栅MOS-HEMT 器件的直流特性 | 第94-96页 |
| ·AlGaN/GaN/Al_(0.07)Ga_(0.93)N(buffer)凹栅MOS-HEMT 器件的频率特性 | 第96-99页 |
| ·AlGaN/GaN/Al_(0.07)Ga_(0.93)N(buffer)凹栅MOS-HEMT 器件的功率特性 | 第99-101页 |
| ·AlGaN/GaN/Al_(0.07)Ga_(0.93)N(buffer)凹栅MOS-HEMT 器件电学退化研究 | 第101-111页 |
| ·器件特性评估 | 第101-104页 |
| ·在开态应力下器件的退化 | 第104-107页 |
| ·在关态应力下器件的退化 | 第107-111页 |
| ·本章小结 | 第111-112页 |
| 第六章 AlGaN/AlN/GaN 凹栅型MOS-HEMT 器件的研制 | 第112-132页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN 异质结结构 | 第112-115页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN 凹栅MOS-HEMT 器件的直流特性 | 第115-118页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN 凹栅MOS-HEMT 器件的交流特性 | 第118-120页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN 凹栅MOS-HEMT 器件的频率特性 | 第120-122页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN 凹栅MOS-HEMT 器件小信号参数模型 | 第122-128页 |
| ·小信号模型的发展 | 第122-123页 |
| ·寄生电容的提取 | 第123-124页 |
| ·寄生电感和电阻的提取 | 第124-125页 |
| ·本征参数的提取 | 第125-128页 |
| ·模型误差分析和比较 | 第128页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN 凹栅MOS-HEMT 器件的功率测试 | 第128-130页 |
| ·本章小结 | 第130-132页 |
| 第七章 结束语 | 第132-136页 |
| ·本文的主要结论 | 第132-134页 |
| ·未来的工作 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136-138页 |
| 参考文献 | 第138-152页 |
| 论文期间研究成果 | 第152-155页 |
