| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目次 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·有机场效应晶体管的构造及工作原理 | 第11-13页 |
| ·有机场效应晶体管的性能的主要参数 | 第13页 |
| ·有机场效应晶体管的制备技术 | 第13-15页 |
| ·真空技术 | 第14页 |
| ·溶液处理成膜技术 | 第14页 |
| ·光刻技术 | 第14-15页 |
| ·单晶技术 | 第15页 |
| ·有机场效应晶体管半导体材料 | 第15-28页 |
| ·P-型有机半导体材料 | 第15-26页 |
| ·并苯稠环及其衍生物有机半导体材料 | 第15-19页 |
| ·含硫杂噻吩类的有机半导体材料 | 第19-23页 |
| ·带有烷基链的稠环有机半导体材料 | 第23-24页 |
| ·其他稠环p型有机半导体材料 | 第24-26页 |
| ·n-型有机半导体材料 | 第26-28页 |
| ·有机场效应晶体管的应用 | 第28-29页 |
| ·显示器 | 第28-29页 |
| ·射频识别标签 | 第29页 |
| ·本论文的选题依据和意义 | 第29-31页 |
| 第二章 六元苯并噻吩(DBTTA)有机半导体材料的合成与性质的研究 | 第31-39页 |
| ·引言 | 第31-33页 |
| ·实验部分 | 第33-36页 |
| ·试剂、仪器与方法 | 第33-34页 |
| ·试剂来源及纯度 | 第33-34页 |
| ·测试仪器 | 第34页 |
| ·目标化合物的合成与表征 | 第34-36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-38页 |
| ·材料的合成与表征 | 第36页 |
| ·材料的光物理性能 | 第36-37页 |
| ·材料的热稳定性 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 已基取代的六元与七元苯并噻吩有机半导体材料的合成与性质研究 | 第39-57页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·实验部分 | 第40-48页 |
| ·试剂、仪器与方法 | 第40-42页 |
| ·部分试剂来源及纯度 | 第40-41页 |
| ·测试仪器 | 第41-42页 |
| ·目标化合物的合成与表征 | 第42-48页 |
| ·结果与讨论 | 第48-55页 |
| ·材料合成与表征 | 第48页 |
| ·材料的光物理性 | 第48-49页 |
| ·材料的热稳定性 | 第49-50页 |
| ·薄膜场效应晶体管的电学性能 | 第50-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 二维稠环有机半导体材料的合成与性质研究 | 第57-67页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·实验部分 | 第58-61页 |
| ·试剂、仪器与方法 | 第58-60页 |
| ·部分试剂来源及纯度 | 第58-59页 |
| ·测试仪器 | 第59-60页 |
| ·合成与表征 | 第60-61页 |
| ·结果与讨论 | 第61-64页 |
| ·材料的合成与表征 | 第61-62页 |
| ·材料的光物理性 | 第62页 |
| ·材料的热稳定性 | 第62-63页 |
| ·薄膜场效应晶体管的电学性能 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-81页 |
| 附录 | 第81-97页 |