| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·HEMT发展历史和现状 | 第12-13页 |
| ·射频器件建模 | 第13-17页 |
| ·使用的EDA工具 | 第14-15页 |
| ·射频器件的建模流程 | 第15-17页 |
| ·本文的研究内容和组织架构 | 第17-19页 |
| 第二章 HEMT器件建模和测试综述 | 第19-30页 |
| ·HEMT的工作原理 | 第19-21页 |
| ·HEMT的基本结构 | 第19-20页 |
| ·HEMT的工作原理 | 第20-21页 |
| ·HEMT模型 | 第21-22页 |
| ·器件模型分类 | 第21-22页 |
| ·HEMT器件的建模要求 | 第22页 |
| ·射频S参数的测量技术 | 第22-25页 |
| ·去嵌技术 | 第25-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 HEMT小信号建模研究 | 第30-57页 |
| ·HEMT小信号等效电路模型 | 第30-33页 |
| ·小信号模型的建立流程 | 第30-31页 |
| ·HEMT小信号等效电路模型 | 第31-32页 |
| ·小信号等效电路模型提取参数过程 | 第32-33页 |
| ·PAD 电容的提取方法 | 第33-38页 |
| ·测试结构方法 | 第33-35页 |
| ·截止条件方法 | 第35-38页 |
| ·寄生电感的提取方法 | 第38-44页 |
| ·短路测试结构方法 | 第39-40页 |
| ·反向截止偏置法 | 第40-44页 |
| ·寄生电阴的提取方法 | 第44-46页 |
| ·Cold-FET S参数方法 | 第44-45页 |
| ·其他方法介绍 | 第45-46页 |
| ·本征元件的提取技术 | 第46-49页 |
| ·本征元件随频率的变化 | 第46-48页 |
| ·本征元件随偏置的变化 | 第48-49页 |
| ·半分析法提取模型参数 | 第49-51页 |
| ·多偏置下的参数提取与验证 | 第51-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 HEMT小信号模型的改进探究 | 第57-61页 |
| ·本征网络增加R_(gd)的小信号模型 | 第57-59页 |
| ·本征网络增加R_(gd)、G_(gd)和G_(gs)的小信号模型 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结和展望 | 第61-63页 |
| ·总结 | 第61页 |
| ·工作展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 附录 实现半分析法的Matlab程序 | 第67-71页 |
| 附录 英文名词缩写 | 第71-72页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |