| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-14页 |
| ·ESD 研究的意义 | 第11页 |
| ·研究现状和发展趋势 | 第11-12页 |
| ·主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 ESD 背景介绍 | 第14-32页 |
| ·近代 ESD 随工艺和技术发展的变化 | 第14-16页 |
| ·ESD 放电模型 | 第16-21页 |
| ·HBM 模型 | 第16-18页 |
| ·MM 模型 | 第18-19页 |
| ·CDM 模型 | 第19-20页 |
| ·TLP 模型 | 第20-21页 |
| ·测试方法和判断标准 | 第21-22页 |
| ·测试方法 | 第21-22页 |
| ·判断标准 | 第22页 |
| ·常用 ESD 保护器件 | 第22-31页 |
| ·二极管 | 第23-25页 |
| ·二极管方程 | 第23-24页 |
| ·二极管电阻 | 第24-25页 |
| ·自加热效应 | 第25页 |
| ·BJT | 第25-26页 |
| ·硅控整流器（Silicon-controlled rectifier，SCR) | 第26-27页 |
| ·电阻 | 第27-29页 |
| ·大电流 MOSFET | 第29-31页 |
| ·MOSFET ESD 保护 | 第29页 |
| ·雪崩击穿和 snapback | 第29-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第三章 热导方程和热电模型 | 第32-43页 |
| ·具有可变热传导率的热传导方程 | 第32-34页 |
| ·基尔霍夫变换 | 第32页 |
| ·Bolzmann 变换 | 第32-33页 |
| ·Duhamel 方程 | 第33-34页 |
| ·热电模型 | 第34-42页 |
| ·Tasca 模型 | 第34-35页 |
| ·Wunsch-Bell 模型 | 第35-37页 |
| ·Smith-Littau 模型 | 第37页 |
| ·Dwyer-Franklin-Campell 模型 | 第37-39页 |
| ·Greves 模型 | 第39页 |
| ·负差分电阻模型（negative differential resistance, NDR） | 第39-40页 |
| ·Ash 模型 | 第40-41页 |
| ·统计模型 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 第四章 LDMOS 在 ESD 中的温度特性分析 | 第43-80页 |
| ·概述 | 第43-45页 |
| ·几种常见的 LDMOS ESD 保护结构 | 第45-48页 |
| ·LDMOS 工作原理 | 第48-49页 |
| ·LDMOS 仿真 | 第49-79页 |
| ·准静态仿真 | 第50-59页 |
| ·拐点准静态仿真 | 第50-54页 |
| ·源端到衬底接触距离（SBS）不同 | 第54-56页 |
| ·漏极工程不同 | 第56-59页 |
| ·瞬态仿真 | 第59-79页 |
| ·拐点瞬态仿真 | 第60-72页 |
| ·沟道长度（L）不同 | 第72-75页 |
| ·半埋层位置不同 | 第75-79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 第五章 版图和测试 | 第80-85页 |
| ·ESD 版图介绍和优化 | 第80-83页 |
| ·硅层面的优化 | 第80-81页 |
| ·金属互联线的优化 | 第81-83页 |
| ·测试结果 | 第83-84页 |
| ·小结 | 第84-85页 |
| 第六章 结论 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 参考文献 | 第88-92页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第92-93页 |
