| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| ·GaN 基材料及器件的研究进展及意义 | 第12-16页 |
| ·GaN 基材料和器件的优势及发展 | 第12-13页 |
| ·GaN 基 HEMT 器件中存在的可靠性问题 | 第13-16页 |
| ·GaN 基 HEMT 器件的高场与温度可靠性研究现状 | 第16-19页 |
| ·高场退化效应的研究现状及进展 | 第16-17页 |
| ·温度可靠性的研究概况 | 第17-19页 |
| ·本文的主要工作和安排 | 第19-24页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 器件的设计与工艺 | 第24-36页 |
| ·异质结材料的生长 | 第24页 |
| ·GaN 基 HEMT 器件的版图设计 | 第24-28页 |
| ·器件单元版图的设计 | 第25-27页 |
| ·大栅宽器件总体版图结构的设计 | 第27-28页 |
| ·GaN 基 HEMT 器件的工艺流程 | 第28-34页 |
| ·样片表面清洗 | 第28页 |
| ·欧姆接触 | 第28-30页 |
| ·台面隔离 | 第30-31页 |
| ·器件表面钝化与槽栅刻蚀 | 第31-32页 |
| ·栅极金属蒸发、Si3N4保护钝化与金属互连 | 第32-33页 |
| ·电镀和空气桥 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-36页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 器件高场与高温退化机制 | 第36-62页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的高场退化效应 | 第36-49页 |
| ·实验方案与器件表征 | 第36-37页 |
| ·开态应力下 AlGaN/GaN HEMT 器件的退化 | 第37-39页 |
| ·关态应力下 AlGaN/GaN HEMT 器件的退化 | 第39-40页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件中陷阱的恢复特性 | 第40-42页 |
| ·阶梯应力下 AlGaN/GaN HEMT 器件的退化 | 第42-47页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件电学退化模型及主导机制的划分 | 第47-49页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的高温特性研究 | 第49-58页 |
| ·温度对欧姆接触特性的影响 | 第49-50页 |
| ·高温下的肖特基接触特性及栅漏电机制 | 第50-53页 |
| ·温度对 AlGaN/GaN HEMT 器件直流特性的影响 | 第53-55页 |
| ·温度对 AlGaN/GaN HEMT 器件交流特性的影响 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-62页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT 器件的热存储可靠性研究 | 第62-80页 |
| ·热存储对 AlGaN/GaN 电容特性的影响 | 第62-66页 |
| ·热存储对 CV 特性的影响 | 第62-63页 |
| ·热存储对器件界面态的作用 | 第63-66页 |
| ·热存储对 AlGaN/GaN HEMT 器件直流特性的影响 | 第66-71页 |
| ·热存储对器件输出特性的影响 | 第66-67页 |
| ·热存储对器件转移特性的影响 | 第67-68页 |
| ·热存储对器件栅电流特性的影响 | 第68-69页 |
| ·热存储对器件击穿特性的影响 | 第69-71页 |
| ·热存储对 AlGaN/GaN HEMT 器件交流特性的影响 | 第71-72页 |
| ·热存储对器件电流崩塌特性的影响 | 第71-72页 |
| ·热存储对器件栅延迟特性的影响 | 第72页 |
| ·热存储对 AlGaN/GaN HEMT 器件频率特性的影响 | 第72-73页 |
| ·热存储对大栅宽器件直流特性的影响 | 第73-76页 |
| ·热存储条件的选取 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-80页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HEMT 器件的结温测量 | 第80-98页 |
| ·结温测量技术简介 | 第80-86页 |
| ·常用的结温测量技术及优缺点比较 | 第80-85页 |
| ·微区拉曼光学系统及其结温测量原理 | 第85-86页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件微区拉曼法结温测量 | 第86-93页 |
| ·实验器件与实验方法 | 第86-88页 |
| ·拉曼信号与温度的关系校准 | 第88-90页 |
| ·逆压电偏置对拉曼谱线的影响 | 第90-91页 |
| ·多指栅 AlGaN/GaN HEMT 器件结温及热阻的测量结果 | 第91-93页 |
| ·多指栅 AlGaN/GaN HEMT 器件的温度分布 | 第93-95页 |
| ·多指栅 AlGaN/GaN HEMT 器件的横向温度分布 | 第93-94页 |
| ·多指栅 AlGaN/GaN HEMT 器件源漏间隙处的温度扫描 | 第94-95页 |
| ·多指栅 AlGaN/GaN HEMT 器件的纵向温度分布 | 第95页 |
| ·本章小结 | 第95-98页 |
| 第六章 多指栅 AlGaN/GaN HEMT 器件结温建模与热设计 | 第98-116页 |
| ·多指栅 AlGaN/GaN HEMT 器件的电-热模型 | 第98-109页 |
| ·早先的结温计算方法 | 第98-99页 |
| ·多指栅 AlGaN/GaN HEMT 器件的 2D 自热仿真与电学特性 | 第99-103页 |
| ·多指栅 AlGaN/GaN HEMT 器件的 3D 有限元热模型 | 第103-107页 |
| ·用微区拉曼法对模型进行验证 | 第107页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的热阻分析 | 第107-109页 |
| ·影响多指栅 AlGaN/GaN HEMT 器件结温的关键因素 | 第109-114页 |
| ·栅指间距对器件结温的影响 | 第109-110页 |
| ·单栅指宽度和栅指数目对器件结温的影响 | 第110-111页 |
| ·版图结构对器件结温的影响 | 第111-112页 |
| ·衬底选择对器件结温的影响 | 第112-113页 |
| ·焊料层对器件结温的影响 | 第113-114页 |
| ·降低器件结温/热阻的有效措施 | 第114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 第七章 结束语 | 第116-120页 |
| ·本文的主要结论 | 第116-118页 |
| ·未来的工作展望 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-122页 |
| 参考文献 | 第122-136页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第136-138页 |
| 学术论文 | 第136-137页 |
| 获奖情况 | 第137页 |
| 参加研究的科研项目 | 第137-138页 |
