| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·OFET 的研究进展及研究意义 | 第10-12页 |
| ·OFET 目前存在的问题和发展方向 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 有机场效应晶体管简介 | 第14-29页 |
| ·有机场效应晶体管的结构 | 第14-15页 |
| ·OFET 材料 | 第15-19页 |
| ·衬底材料 | 第15-16页 |
| ·电极材料 | 第16页 |
| ·绝缘层材料 | 第16-17页 |
| ·半导体材料 | 第17-19页 |
| ·OFET 工作原理 | 第19-21页 |
| ·OFET 参数及其获取 | 第21-23页 |
| ·有机半导体的导电机制及电学模型 | 第23-27页 |
| ·有机半导体导电机制 | 第23-25页 |
| ·电学模型 | 第25-27页 |
| ·半导体薄膜生长过程与生长模式 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 栅绝缘层表面能及粗糙度对器件性能影响的研究 | 第29-42页 |
| ·栅绝缘层表面影响 OFET 迁移率的主要参数 | 第29-33页 |
| ·栅绝缘层表面粗糙度 | 第29-31页 |
| ·栅绝缘层表面能 | 第31-33页 |
| ·绝缘层表面修饰的方法 | 第33-41页 |
| ·自组装单层修饰 | 第33-38页 |
| ·聚合物修饰 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 自组装单层修饰对 OFET 性能影响的研究 | 第42-51页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·基于 SAM 修饰层的 OFET 的制备及性能表征 | 第43-45页 |
| ·实验方案设计 | 第43页 |
| ·工艺流程 | 第43-44页 |
| ·性能表征 | 第44-45页 |
| ·SAM 退火方式对 OFET 性能的影响 | 第45-46页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 聚合物修饰对 OFET 性能影响的研究 | 第51-59页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·基于绝缘层修饰层的 OFET 的制备及性能表征 | 第51-53页 |
| ·实验方案设计 | 第51页 |
| ·工艺流程 | 第51-52页 |
| ·性能表征 | 第52-53页 |
| ·聚合物退火方式对 OFET 性能的影响 | 第53-54页 |
| ·实验结果分析与讨论 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 全文总结和展望 | 第59-61页 |
| ·全文总结 | 第59-60页 |
| ·展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第68-69页 |
| 附录 2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
