| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| ·MoS_2概述 | 第10-11页 |
| ·MoS_2的晶体结构 | 第10页 |
| ·MoS_2的电子能带结构 | 第10-11页 |
| ·MoS_2材料性质及其相关应用研究 | 第11-13页 |
| ·MoS_2物理性质研究 | 第11-12页 |
| ·MoS_2在光电方面的应用 | 第12-13页 |
| ·MoS_2场效应晶体管研究 | 第13-20页 |
| ·MoS_2/源漏电极电学接触 | 第14页 |
| ·MoS_2载流子输运及散射 | 第14-17页 |
| ·MoS_2表面高质量栅介质层 | 第17-20页 |
| ·选题的意义和内容 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 MoS_2场效应晶体管的制备与环境效应的研究 | 第24-30页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·实验部分 | 第24-26页 |
| ·背栅MoS_2场效应晶体管的制备 | 第24-25页 |
| ·MoS_2场效应晶体管基本电学测试 | 第25-26页 |
| ·实验结果与讨论 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-30页 |
| 第三章 MoS_2场效应晶体管沟道电子散射输运性质研究 | 第30-50页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·实验部分 | 第30-32页 |
| ·单层MoS_2 TEM样品制备 | 第30-31页 |
| ·MoS_2场效应晶体管变温输运特性测量 | 第31-32页 |
| ·实验结果与讨论 | 第32-43页 |
| ·单层MoS_2表面S空位直接观测及缺陷密度统计 | 第32-36页 |
| ·S空位的引入对MoS_2电子能带结构的影响理论研究 | 第36-38页 |
| ·MoS_2场效应晶体管变温输运测量及沟道电子输运性质研究 | 第38-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| ·附录缺陷系统载流子跃迁输运性质讨论 | 第44-48页 |
| ·跃迁输运概述 | 第44-46页 |
| ·变程跃迁(Mott's VRH与ESH)输运机制 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第四章 结论与展望 | 第50-55页 |
| ·结论 | 第50-51页 |
| ·展望 | 第51-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 攻读硕士期间发表的学术成果 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
