| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·国内外发展现状 | 第12-15页 |
| ·论文的选题与意义 | 第15-16页 |
| ·主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 纳米MOSFET模型及工艺波动分析 | 第17-28页 |
| ·纳米MOSFET模型 | 第17-23页 |
| ·MOSFET性能的工艺波动 | 第23-28页 |
| 第三章 40nm MOSFET核心模型的提取 | 第28-39页 |
| ·40nm MOSFET的直流测试 | 第28-29页 |
| ·核心模型的提取结果 | 第29-39页 |
| 第四章 40nm MOSFET全局统计模型的建立与验证 | 第39-55页 |
| ·全局统计模型的建立 | 第39-40页 |
| ·全局统计模型数据的测试 | 第40-46页 |
| ·全局统计模型的提取和验证 | 第46-55页 |
| 第五章 40nnm MOSFET失配模型的建立与验证 | 第55-72页 |
| ·失配模型的建立 | 第55-57页 |
| ·失配模型数据的测试 | 第57-64页 |
| ·失配模型的提取和验证 | 第64-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-74页 |
| ·总结 | 第72-73页 |
| ·展望 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 攻读硕士学位期间的论文发表 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |