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深紫外线曝光光罩结晶状缺陷的生长机理和预防

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
引言第6-10页
第一章 光刻、光罩的基本原理及概述第10-20页
    第一节 论文课题背景第10-11页
    第二节 光刻技术的发展第11-15页
    第三节 光罩基本结构和功能介绍第15-17页
    第四节 光罩在光刻中的作用和光罩技术发展第17-20页
第二章 光罩结晶状缺陷的形态和成因分析第20-28页
    第一节 光罩结晶状缺陷的定义第20-21页
    第二节 光罩结晶状缺陷的成分第21-22页
    第三节 光罩结晶状缺陷的形成机理分析第22-28页
        2.3.1 光刻工艺参数K_1第24页
        2.3.2 晶圆尺寸的限制第24-25页
        2.3.3 光罩曝光波长的影响第25-26页
        2.3.4 光罩制作工艺的影响第26页
        2.3.5 光罩存储环境、使用方式的影响第26-28页
第三章 光罩结晶状缺陷的预防和检测第28-39页
    第一节 光罩使用环境的改进第28-30页
        3.1.1 光刻工作区域环境的改善第28-29页
        3.1.2 光刻机内部环境的改善第29-30页
        3.1.3 光罩缺陷检测区域环境的改善第30页
    第二节 光罩存储环境的改进第30-33页
        3.2.1 光罩存放盒材料的改善第30-31页
        3.2.2 光罩存放盒存储架改善的改善第31-32页
        3.2.3 光罩等待时间(Queue-Time)的控制和自动提示功能第32-33页
    第三节 光罩清洗工艺的改进第33-34页
    第四节 光罩结晶状缺陷检测方法和检测频率的改进第34-39页
第四章 总结第39-41页
参考文献第41-42页
致谢第42-43页

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