| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 引言 | 第5-17页 |
| 1.1 光学基础 | 第5-7页 |
| 1.2 掩膜板/光罩(Photo mask/Reticle) | 第7-8页 |
| 1.3 光刻胶 | 第8-11页 |
| 1.4 光源 | 第11-12页 |
| 1.5 一般的光刻工序 | 第12-16页 |
| 1.6 论文的组织结构 | 第16-17页 |
| 第二章 光刻设备和工艺介绍 | 第17-24页 |
| 2.1 轨道机(Track) | 第17-19页 |
| 2.2 光刻机(Scanner) | 第19-20页 |
| 2.3 关键尺寸扫描电子显微镜(CD-SEM) | 第20-22页 |
| 2.4 层间对准量测机(OVL) | 第22-24页 |
| 第三章 90nm SRAM光刻技术引进 | 第24-32页 |
| 3.1 ArF光阻评估 | 第24-27页 |
| 3.2 尼康机台双重曝光技术 | 第27-29页 |
| 3.3 ASML机台与Nikon机台校准和应用 | 第29-30页 |
| 3.4 ArF兼容DUV系统 | 第30页 |
| 3.5 项目验收 | 第30-31页 |
| 3.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 第四章 90nm SRAM光刻技术的引进 | 第32-47页 |
| 4.1 OVL的基础介绍 | 第32-34页 |
| 4.2 OVL量测程序建立及防范错误 | 第34-38页 |
| 4.3 OVL量测失败问题以及解决方法 | 第38-42页 |
| 4.4 90nm SRAM技术的对准问题 | 第42-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 结论和展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |