基于原子层淀积高κ介质调制肖特基势垒的研究
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 选题的背景和意义 | 第10页 |
| 1.2 金属-半导体接触 | 第10-14页 |
| 1.2.1 理想的接触模型 | 第11-12页 |
| 1.2.2 电流输运过程 | 第12-13页 |
| 1.2.3 电流输运方程 | 第13-14页 |
| 1.3 费米能级钉扎效应 | 第14-21页 |
| 1.3.1 实际的接触模型 | 第14-16页 |
| 1.3.2 金属诱导能隙态和键极化理论 | 第16页 |
| 1.3.3 存在费米能级钉扎的材料 | 第16-17页 |
| 1.3.4 抑制费米能级钉扎的方法 | 第17-18页 |
| 1.3.5 高κ介质 | 第18-19页 |
| 1.3.6 接触电阻 | 第19-21页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第21-22页 |
| 1.5 本论文的主要工作 | 第22-24页 |
| 第二章 原子层淀积技术及其表征方法 | 第24-38页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 原子层淀积技术 | 第24-28页 |
| 2.2.1 原子层淀积的原理 | 第24-26页 |
| 2.2.2 原子层淀积的优势 | 第26-27页 |
| 2.2.3 原子层淀积金属氧化物薄膜 | 第27-28页 |
| 2.2.3.1 ALD淀积二元金属氧化物薄膜 | 第27-28页 |
| 2.2.3.2 ALD淀积金属氧化物叠层薄膜 | 第28页 |
| 2.2.3.3 ALD淀积三元金属氧化物薄膜 | 第28页 |
| 2.3 高κ介质的表征技术 | 第28-32页 |
| 2.3.1 椭圆偏振技术(SE) | 第28-30页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜(TEM) | 第30-31页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第31-32页 |
| 2.4 高κ介质的电学测量技术 | 第32-37页 |
| 2.4.1 MIS结构的电流-电压测量 | 第33-35页 |
| 2.4.2 MIS结构的肖特基势垒测量 | 第35-36页 |
| 2.4.3 MIS结构的接触电阻测量 | 第36-37页 |
| 2.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 高κ介质/SiC半导体材料的界面特性研究 | 第38-51页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 实验内容 | 第39-41页 |
| 3.2.1 清洗衬底 | 第39-40页 |
| 3.2.2 样品制备 | 第40-41页 |
| 3.2.2.1 原子层淀积氧化铝薄膜 | 第40-41页 |
| 3.2.2.2 电子束蒸发铝电极 | 第41页 |
| 3.2.3 测试方法 | 第41页 |
| 3.3 实验结果及分析 | 第41-49页 |
| 3.3.1 TEM分析 | 第41-42页 |
| 3.3.2 能带结构分析 | 第42-44页 |
| 3.3.3 XPS分析 | 第44-46页 |
| 3.3.4 电学性能测试 | 第46-49页 |
| 3.3.4.1 电流-电压曲线 | 第46-47页 |
| 3.3.4.2 肖特基势垒 | 第47-49页 |
| 3.3.4.3 接触电阻 | 第49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 高κ介质/InP半导体材料的界面特性研究 | 第51-65页 |
| 4.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.2 实验内容 | 第52-55页 |
| 4.2.1 清洗衬底 | 第52页 |
| 4.2.2 样品制备 | 第52-54页 |
| 4.2.2.1 原子层淀积氧化铪薄膜 | 第52-54页 |
| 4.2.2.2 原子层淀积氧化铝薄膜 | 第54页 |
| 4.2.2.3 电子束蒸发金电极 | 第54页 |
| 4.2.3 测试方法 | 第54-55页 |
| 4.3 实验结果及分析 | 第55-63页 |
| 4.3.1 TEM分析 | 第55页 |
| 4.3.2 能带结构分析 | 第55-57页 |
| 4.3.3 XPS分析 | 第57-58页 |
| 4.3.4 电学性能测试 | 第58-63页 |
| 4.3.4.1 电流-电压曲线 | 第58-60页 |
| 4.3.4.2 肖特基势垒 | 第60-62页 |
| 4.3.4.3 接触电阻 | 第62-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 全文结论和展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-75页 |
| 硕士期间发表的论文和专利 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
