基于中压等离子体技术的多晶硅薄膜快速晶化及低温生长
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-31页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 多晶硅薄膜的应用 | 第10-13页 |
| 1.2.1 微晶硅太阳能电池 | 第10-11页 |
| 1.2.2 多晶硅薄膜太阳能电池 | 第11-12页 |
| 1.2.3 多晶硅薄膜晶体管 | 第12-13页 |
| 1.3 多晶硅薄膜制备技术 | 第13-25页 |
| 1.3.1 固相晶化技术 | 第13-17页 |
| 1.3.2 准分子激光晶化技术 | 第17-19页 |
| 1.3.3 微热等离子体退火技术 | 第19-21页 |
| 1.3.4 气相沉积技术 | 第21-25页 |
| 1.4 中压等离子体系统 | 第25-29页 |
| 1.4.1 中压等离子体系统结构 | 第25-27页 |
| 1.4.2 中压等离子体技术原理 | 第27-29页 |
| 1.5 本文的研究内容及研究意义 | 第29-31页 |
| 第2章 实验过程和研究方法 | 第31-35页 |
| 2.1 实验方案 | 第31-32页 |
| 2.2 实验材料及设备 | 第32页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第32页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第32页 |
| 2.3 实验过程 | 第32-34页 |
| 2.3.1 非晶硅薄膜退火晶化 | 第32-33页 |
| 2.3.2 玻璃衬底薄膜低温高速生长 | 第33-34页 |
| 2.4 薄膜表征及制备工艺测试方法 | 第34-35页 |
| 第3章 非晶硅薄膜快速退火晶化 | 第35-47页 |
| 3.1 非晶硅薄膜的晶化 | 第35-37页 |
| 3.2 氢气流量变化对薄膜结晶的影响 | 第37-39页 |
| 3.3 等离子体功率对薄膜结晶的影响 | 第39-40页 |
| 3.4 退火时间对薄膜结晶的影响 | 第40-41页 |
| 3.5 中压等离子体技术退火过程 | 第41-45页 |
| 3.6 本章小结 | 第45-47页 |
| 第4章 基于玻璃衬底的多晶硅低温高速生长 | 第47-62页 |
| 4.1 等离子体功率对沉积的影响 | 第47-50页 |
| 4.2 硅烷流量对沉积的影响 | 第50-53页 |
| 4.3 氢气对沉积的影响 | 第53-57页 |
| 4.4 更低衬底温度获得高质量多晶硅薄膜 | 第57-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 结论 | 第62-63页 |
| 5.2 创新点 | 第63页 |
| 5.3 展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 个人简历 | 第72-73页 |
| 在学期间所取得的研究成果 | 第73页 |
