| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 浸没式光刻工艺介绍 | 第7-13页 |
| 1.1 传统光刻工艺流程介绍 | 第7-8页 |
| 1.2 光刻工艺的发展 | 第8-10页 |
| 1.2.1 光刻机的发展历程 | 第8-9页 |
| 1.2.2 光刻工艺流程的发展 | 第9-10页 |
| 1.3 浸没式光刻工艺及其优势 | 第10-13页 |
| 1.3.1 浸没式光刻工艺原理 | 第10-11页 |
| 1.3.2 浸没式光刻的优势 | 第11-13页 |
| 第二章 浸没式光刻主要的缺陷及成因 | 第13-30页 |
| 2.1 气泡缺陷 | 第13-17页 |
| 2.1.1 气泡缺陷的光学原理 | 第13-14页 |
| 2.1.2 在光刻胶层上发现的气泡缺陷 | 第14-15页 |
| 2.1.3 气泡的源头 | 第15-17页 |
| 2.2 反气泡状缺陷 | 第17-22页 |
| 2.2.1 缺陷介绍 | 第17-18页 |
| 2.2.2 反气泡缺陷的形成机理 | 第18-20页 |
| 2.2.3 光刻胶或顶部涂层颗粒物、光刻胶凸起的成因 | 第20-21页 |
| 2.2.4 起泡的现象及原理 | 第21-22页 |
| 2.3 微小桥接缺陷 | 第22-24页 |
| 2.3.1 微小桥接缺陷介绍 | 第22-23页 |
| 2.3.2 缺陷的形成机理 | 第23-24页 |
| 2.4 水渍残留缺陷 | 第24-29页 |
| 2.4.1 水渍残留缺陷介绍 | 第24-25页 |
| 2.4.2 水渍残留缺陷形成机理 | 第25页 |
| 2.4.3 扫描式电子显微镜下水渍残留缺陷图像 | 第25-27页 |
| 2.4.4 其他水渍残留缺陷的证据 | 第27-29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 浸没式光刻主要的缺陷的对策 | 第30-44页 |
| 3.1 减少气泡缺陷的方法 | 第30-32页 |
| 3.2 减少水渍残留缺陷的方法 | 第32-38页 |
| 3.2.1 防水表面特性有助于减少水渍残留 | 第32-34页 |
| 3.2.2 优化扫描曝光路径与扫描速度 | 第34-36页 |
| 3.2.3 去离子水冲洗 | 第36-37页 |
| 3.2.4 其他冲洗制程 | 第37-38页 |
| 3.3 减少微型桥接的方法 | 第38-43页 |
| 3.3.1 浸没液体中的颗粒物缺陷 | 第38-39页 |
| 3.3.2 来自硅片工作台(wafer stage)的颗粒物 | 第39-40页 |
| 3.3.3 硅片边缘区域引入的颗粒物 | 第40-43页 |
| 3.4 减少低厚度光刻胶薄膜或顶部涂层薄膜中的微小空洞 | 第43-44页 |
| 第四章 浸没式光刻缺陷对应策略在实际生产中的运用 | 第44-51页 |
| 4.1 光刻机的定期检测及维护 | 第44-45页 |
| 4.1.1 光刻机缺陷状况定期检测 | 第44-45页 |
| 4.2 针对实际工艺制程中存在的缺陷采取有针对性的措施 | 第45-51页 |
| 4.2.1 45nm工艺初期浸没式缺陷状况 | 第45页 |
| 4.2.2 大气泡缺陷及采取的措施 | 第45-48页 |
| 4.2.3 可印刷颗粒缺陷及采取的措施 | 第48-51页 |
| 第五章 在实际生产中的运用对策后的效果 | 第51-53页 |
| 5.1 气泡缺陷的改善效果 | 第51页 |
| 5.2 可印刷颗粒缺陷的改善效果 | 第51页 |
| 5.3 边缘颗粒物的改善效果 | 第51-53页 |
| 第六章 总结 | 第53-56页 |
| 6.1 总结 | 第53-55页 |
| 6.2 后续工作安排 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
