| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 应变异质结在半导体光电子器件方面的研究现状 | 第8-9页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族三元化合物的研究现状 | 第9-12页 |
| 1.2.1 Ⅲ-Ⅴ族砷化物XAs的研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2.2 Ⅲ-Ⅴ族三元化合物的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2.3 掺杂的意义 | 第11-12页 |
| 1.3 第一性原理的简介 | 第12-13页 |
| 1.4 本课题的研究目的和内容 | 第13-14页 |
| 1.5 本章小结 | 第14-15页 |
| 第2章 基于第一性原理的密度泛函理论 | 第15-21页 |
| 2.1 密度泛涵基本理论 | 第15-19页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn理论 | 第15-16页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第16-17页 |
| 2.1.3 局域密度近似(LDA)与广义梯度近似(GGA) | 第17页 |
| 2.1.4 自洽计算 | 第17-19页 |
| 2.2 赝势平面波方法 | 第19页 |
| 2.3 Materials Studio软件及CASTEP模块介绍 | 第19-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 第3章 半导体XAs的电子结构和力学性质 | 第21-30页 |
| 3.1 计算方法 | 第21-22页 |
| 3.2 XAs(X=Ga、Al)计算采用的晶体结构模型 | 第22-23页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第23-29页 |
| 3.3.1 GaAs和AlAs优化后的晶格常数 | 第23页 |
| 3.3.2 GaAs和AlAs的电子结构 | 第23-26页 |
| 3.3.3 力学性质 | 第26-29页 |
| 3.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第4章 Zn掺杂三元化合物GaAlAs_2的电子结构和光学性质的研究 | 第30-49页 |
| 4.1 三元化合物GaAlAs_2的理论模型 | 第30-31页 |
| 4.2 计算结果与分析 | 第31-35页 |
| 4.2.1 电子结构分析 | 第32-33页 |
| 4.2.2 力学性质 | 第33-35页 |
| 4.3 几何优化的结果 | 第35-47页 |
| 4.3.1 Zn掺杂三元化合物GaAlAs_2优化之后的晶格常数 | 第35-36页 |
| 4.3.2 掺杂体系形成能的计算和态密度的分析 | 第36-41页 |
| 4.3.3 光学性质 | 第41-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
