45nm半导体器件接触孔连接工艺的研究与改进
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第6-11页 |
| 1.1 研究目的和意义 | 第6-7页 |
| 1.2 接触孔的定义 | 第7-8页 |
| 1.3 阶梯覆盖性 | 第8-9页 |
| 1.4 接触孔串联电阻的定义 | 第9页 |
| 1.5 硅化物概述 | 第9-11页 |
| 2 金属化工艺技术相关介绍 | 第11-23页 |
| 2.1 物理气相沉积工艺介绍 | 第11-15页 |
| 2.2 MOCVD金属有机物化学沉积工艺介绍 | 第15-23页 |
| 2.2.1 CVD工艺原理 | 第15-19页 |
| 2.2.2 MOCVD原理及优点 | 第19-20页 |
| 2.2.3 W CVD工艺原理及优点 | 第20-22页 |
| 2.2.4 小结 | 第22-23页 |
| 3 实验方法 | 第23-39页 |
| 3.1 实验设备介绍 | 第23-32页 |
| 3.1.1 DEGAS除水汽腔简介 | 第23-24页 |
| 3.1.2 Pre-clean反应腔简介 | 第24-25页 |
| 3.1.3 IMP PVD沉积腔简介 | 第25页 |
| 3.1.4 MOCVD沉积腔简介 | 第25-29页 |
| 3.1.5 W CVD沉积腔简介 | 第29-32页 |
| 3.2 薄膜测试仪器介绍 | 第32-38页 |
| 3.2.1 方块电阻Rs测试仪器简介 | 第32页 |
| 3.2.2 俄歇电子能谱仪 | 第32-33页 |
| 3.2.3 X射线荧光光谱分析(XRF) | 第33-34页 |
| 3.2.4 光学式薄膜厚度测量仪 | 第34-35页 |
| 3.2.5 薄膜应力测试 | 第35页 |
| 3.2.6 TEM透射电子显微镜 | 第35-36页 |
| 3.2.7 SEM扫描电子显微镜 | 第36-38页 |
| 3.2.8 固体颗粒和产品缺陷侦测 | 第38页 |
| 3.3 小结 | 第38-39页 |
| 4 工艺实验内容 | 第39-42页 |
| 4.1 晶圆预清理工艺实验内容 | 第39-40页 |
| 4.2 钛薄膜工艺实验内容 | 第40-41页 |
| 4.3 氮化钛薄膜工艺实验内容 | 第41-42页 |
| 5 实验结果分析 | 第42-51页 |
| 5.1 晶圆预清理工艺实验分析 | 第42页 |
| 5.2 Ti/TiN工艺实验分析 | 第42-46页 |
| 5.2.1 钛薄膜厚度实验结果 | 第42-43页 |
| 5.2.2 氮化钛薄膜厚度实验结果 | 第43-44页 |
| 5.2.3 氮化钛钛薄膜厚度实验结果 | 第44-45页 |
| 5.2.4 小结 | 第45-46页 |
| 5.3 失效机理复制实验 | 第46-49页 |
| 5.3.1 钛/氮化钛复合膜实验 | 第46-47页 |
| 5.3.2 复合膜N_2/H_2处理实验 | 第47-49页 |
| 5.4 改进工艺方案 | 第49-50页 |
| 5.5 小结 | 第50-51页 |
| 6 总结与展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
