| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 引言 | 第7-9页 |
| 1.2 ZnO的基本结构和性质 | 第9-11页 |
| 1.3 第一性原理计算简介 | 第11-12页 |
| 1.4 本论文的主要内容和目标 | 第12-14页 |
| 第二章 Li-Ni共掺杂ZnO的第一性原理计算 | 第14-23页 |
| 2.1 ZnO的能带结构和态密度 | 第14-17页 |
| 2.2 Li-Ni掺杂ZnO | 第17-22页 |
| 2.3 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 Zn_2GeO_4的第一性原理计算 | 第23-40页 |
| 3.1 Zn_2GeO_4的众多特性 | 第23-24页 |
| 3.2 Zn_2GeO_4完美晶体的计算 | 第24-29页 |
| 3.2.1 能带结构和态密度 | 第25-28页 |
| 3.2.2 电子密度、布居分析以及化学键 | 第28-29页 |
| 3.3 Zn_2GeO_4具有缺陷的计算 | 第29-39页 |
| 3.3.1 三种原子缺陷的能带结构和态密度 | 第29-32页 |
| 3.3.2 光学特性 | 第32-38页 |
| 3.3.3 中性缺陷形成能 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 InGaZnO_4/Si能带结构研究 | 第40-51页 |
| 4.1 薄膜晶体管沟道材料 | 第40页 |
| 4.2 IGZO与ZnO相比较之优势 | 第40-42页 |
| 4.3 基于Kraut Method的能级测量方法 | 第42-50页 |
| 4.3.1 Kraut Method | 第42-43页 |
| 4.3.2 X射线光电子能谱分析 | 第43-49页 |
| 4.3.3 椭圆偏振仪分析 | 第49-50页 |
| 4.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第五章 ZnO/AAO新型发光器件 | 第51-66页 |
| 5.1 原子层沉积生长ZnO | 第51-52页 |
| 5.2 AAO的基本性质 | 第52-56页 |
| 5.3 ZnO/AAO光致发光谱分析 | 第56-59页 |
| 5.4 X射线光电子能谱与低温光致发光谱分析 | 第59-64页 |
| 5.5 ZnO/AAO的可调制发光及应用 | 第64-65页 |
| 5.6 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 结论和展望 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 附录：攻读硕士期间发表的论文和申请的专利 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |