| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 半导体电子自旋简述 | 第9-12页 |
| 1.1.1 自旋电子学与自旋电子器件 | 第9-11页 |
| 1.1.2 稀磁半导体与自旋电子学研究 | 第11-12页 |
| 1.2 稀磁半导体材料简介 | 第12-14页 |
| 1.2.1 稀磁半导体材料的概述 | 第12页 |
| 1.2.2 制备稀磁半导体材料的方法及其磁性机制的研究 | 第12-14页 |
| 1.2.3 稀磁半导体材料的应用前景 | 第14页 |
| 1.2.4 稀磁半导体材料相关研究需要解决的问题 | 第14页 |
| 1.3 新材料：稀土元素铈与氧化铜的结合 | 第14-16页 |
| 1.4 本论文选题目的及意义 | 第16-17页 |
| 第二章 实验技术与原理 | 第17-23页 |
| 2.1 引言 | 第17页 |
| 2.2 实验所用试剂及仪器 | 第17-19页 |
| 2.3 实验装置与待反应液的配置 | 第19-21页 |
| 2.3.1 实验装置 | 第19-20页 |
| 2.3.2 待反应液的配置过程 | 第20-21页 |
| 2.4 实验过程 | 第21-22页 |
| 2.4.1 CuO：Ce稀磁半导体材料的制备原理 | 第21页 |
| 2.4.2 CuO：Ce稀磁半导体材料的制备过程 | 第21-22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 CuO：Ce稀磁半导体材料的结构表征 | 第23-30页 |
| 3.1 引言 | 第23页 |
| 3.2 样品的结构表征 | 第23-25页 |
| 3.2.1 样品的XRD分析 | 第23-24页 |
| 3.2.2 CuO：Ce样品的衍射（SEAD）与高分辨（HR）分析 | 第24-25页 |
| 3.3 样品的SEM表征 | 第25-26页 |
| 3.4 样品的组分表征 | 第26-29页 |
| 3.4.2 CuO：Ce样品的X射线能量散射谱（EDS）分析 | 第26-28页 |
| 3.4.3 CuO：Ce样品的元素面分布（Mapping）分析 | 第28-29页 |
| 3.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 CuO：Ce稀磁半导体材料的光学特性研究 | 第30-34页 |
| 4.1 引言 | 第30页 |
| 4.2 样品的荧光光谱 | 第30-31页 |
| 4.3 样品的紫外吸收光谱 | 第31-33页 |
| 4.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第五章 CuO：Ce稀磁半导体材料的磁学特性研究 | 第34-41页 |
| 5.1 引言 | 第34页 |
| 5.2 样品的VSM表征 | 第34-35页 |
| 5.3 CuO:Ce稀磁半导体材料的自旋极化机制 | 第35页 |
| 5.4 三种结构模型的构建 | 第35-37页 |
| 5.5 第一性原理分析CuO：Ce样品中的磁性来源 | 第37-40页 |
| 5.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第六章 总结与展望 | 第41-43页 |
| 6.1 总结 | 第41页 |
| 6.2 展望 | 第41-43页 |
| 参考文献 | 第43-51页 |
| 作者简介 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |
