| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-58页 |
| 1.1 新物质、新物态与新材料 | 第16-24页 |
| 1.1.1 新物质中的化学科学 | 第17-18页 |
| 1.1.2 新物态的探索 | 第18-21页 |
| 1.1.3 无机半导体材料 | 第21-24页 |
| 1.2 精准合成与电子态调控 | 第24-35页 |
| 1.2.1 尺寸依赖的物理化学性质 | 第25-26页 |
| 1.2.2 缺陷的电子结构 | 第26-30页 |
| 1.2.3 晶体的表面工程与电子结构 | 第30-31页 |
| 1.2.4 界面调控电子态 | 第31-33页 |
| 1.2.5 外场调控电子态 | 第33-35页 |
| 1.3 外延生长方法 | 第35-43页 |
| 1.3.1 外延生长简介 | 第35-36页 |
| 1.3.2 外延中的成核 | 第36-37页 |
| 1.3.3 外延生长模式 | 第37-39页 |
| 1.3.4 外延生长与精准合成 | 第39-40页 |
| 1.3.5 异质外延生长中的机遇与挑战 | 第40-43页 |
| 1.4 本课题的选题目的、意义与主要结果 | 第43-46页 |
| 1.4.1 目的 | 第43-44页 |
| 1.4.2 意义 | 第44页 |
| 1.4.3 主要结果 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-58页 |
| 第二章 Si基底的表面重构对GaSb外延生长的影响 | 第58-82页 |
| 2.1 引言 | 第58-59页 |
| 2.2 分子束外延系统 | 第59-63页 |
| 2.2.1 蒸发源炉 | 第60-61页 |
| 2.2.2 束流监控 | 第61-62页 |
| 2.2.3 反射式高能电子衍射 | 第62-63页 |
| 2.2.4 MBE生长过程 | 第63页 |
| 2.3 实验部分 | 第63-66页 |
| 2.3.1 实验原料 | 第63-64页 |
| 2.3.2 实验方法 | 第64-66页 |
| 2.3.3 主要分析测试仪器与样品表征手段 | 第66页 |
| 2.4 结果与讨论 | 第66-77页 |
| 2.4.1 生长过程的原位监测 | 第66-68页 |
| 2.4.2 表面形貌分析 | 第68-69页 |
| 2.4.3 薄膜晶体结构分析 | 第69-71页 |
| 2.4.4 透射电子显微镜分析 | 第71-74页 |
| 2.4.5 外延界面的面内配位方式 | 第74-75页 |
| 2.4.6 应力释放机制 | 第75-76页 |
| 2.4.7 TEM衍射花样分析 | 第76-77页 |
| 2.5 本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 第三章 Ga-GaSb金属半导体异质结的制备与光吸收性能 | 第82-102页 |
| 3.1 引言 | 第82-84页 |
| 3.2 实验部分 | 第84-87页 |
| 3.2.1 实验原料 | 第84-85页 |
| 3.2.2 合成方法 | 第85-86页 |
| 3.2.3 主要分析测试仪器与样品表征手段 | 第86-87页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第87-97页 |
| 3.3.1 扫描电镜分析 | 第87页 |
| 3.3.2 原子力显微镜分析 | 第87-90页 |
| 3.3.3 X射线光电子能谱分析 | 第90-91页 |
| 3.3.4 粉末X射线衍射分析 | 第91-92页 |
| 3.3.5 高分辨透射电镜分析 | 第92-93页 |
| 3.3.6 生长过程 | 第93-94页 |
| 3.3.7 固体吸收光谱分析 | 第94-95页 |
| 3.3.8 电子结构对吸收增强的影响 | 第95-97页 |
| 3.4 本章小结 | 第97页 |
| 参考文献 | 第97-102页 |
| 第四章 氧空位提升氧化物半导体LaFeO_3的OER催化活性 | 第102-124页 |
| 4.1 引言 | 第102-104页 |
| 4.2 脉冲激光沉积系统 | 第104-106页 |
| 4.2.1 系统构成 | 第105页 |
| 4.2.2 工作过程及原理 | 第105-106页 |
| 4.3 实验部分 | 第106-109页 |
| 4.3.1 实验原料 | 第106-107页 |
| 4.3.2 靶材制备 | 第107页 |
| 4.3.3 薄膜生长 | 第107-108页 |
| 4.3.4 主要分析测试仪器与样品表征手段 | 第108-109页 |
| 4.4 结果与讨论 | 第109-120页 |
| 4.4.1 靶材的XRD分析 | 第109-110页 |
| 4.4.2 OER线性伏安扫描曲线 | 第110-111页 |
| 4.4.3 LFO薄膜中Fe的价态分析 | 第111-112页 |
| 4.4.4 价带谱分析 | 第112-114页 |
| 4.4.5 能带结构分析 | 第114-115页 |
| 4.4.6 LFO薄膜的晶体结构分析 | 第115-116页 |
| 4.4.7 LFO薄膜的形貌分析 | 第116-117页 |
| 4.4.8 LFO薄膜的光学吸收与带隙 | 第117-118页 |
| 4.4.9 荧光光谱分析 | 第118-120页 |
| 4.5 本章小结 | 第120页 |
| 参考文献 | 第120-124页 |
| 第五章 结论与展望 | 第124-126页 |
| 作者简介及科研成果 | 第126-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
