| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第12-13页 |
| 1.2 GaN材料简介 | 第13-15页 |
| 1.2.1 GaN材料的基本性质 | 第13-14页 |
| 1.2.2 GaN材料的晶体结构 | 第14-15页 |
| 1.2.3 GaN材料的应用 | 第15页 |
| 1.3 GaN基发光器件的研究进展 | 第15-28页 |
| 1.3.1 GaN基绿光LEDs的研究进展 | 第15-20页 |
| 1.3.2 GaN基紫光LDs的研究进展 | 第20-28页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-36页 |
| 第2章 III族氮化物材料制备及其表征方法 | 第36-52页 |
| 2.1 引言 | 第36-37页 |
| 2.2 MOCVD系统介绍 | 第37-43页 |
| 2.2.1 气体输运系统 | 第38-40页 |
| 2.2.2 反应室 | 第40-41页 |
| 2.2.3 原位监测系统 | 第41-43页 |
| 2.3 III族氮化物材料常用表征技术 | 第43-51页 |
| 2.3.1 X射线衍射（XRD） | 第44-45页 |
| 2.3.2 原子力显微镜（AFM） | 第45-46页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜（SEM） | 第46-47页 |
| 2.3.4 光致发光谱（PL） | 第47-48页 |
| 2.3.5 电致发光谱（EL） | 第48-49页 |
| 2.3.6 拉曼光谱（Raman） | 第49-50页 |
| 2.3.7 霍尔效应测试（Hall） | 第50-51页 |
| 2.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第3章 SiC衬底上高质量GaN薄膜的可控生长 | 第52-148页 |
| 3.1 引言 | 第52-53页 |
| 3.2 AlN缓冲层生长条件对GaN薄膜特性的影响 | 第53-74页 |
| 3.2.1 AlN缓冲层厚度对GaN薄膜特性的影响 | 第53-62页 |
| 3.2.2 AlN缓冲层生长温度对GaN薄膜特性的影响 | 第62-68页 |
| 3.2.3 AlN缓冲层V/III比对GaN薄膜特性的影响 | 第68-74页 |
| 3.3 渐变AlGaN缓冲层生长条件对GaN薄膜特性的影响 | 第74-92页 |
| 3.3.1 渐变AlGaN缓冲层生长温度对GaN薄膜特性的影响 | 第74-80页 |
| 3.3.2 渐变AlGaN缓冲层厚度对GaN薄膜特性的影响 | 第80-85页 |
| 3.3.3 渐变AlGaN缓冲层生长速率对GaN薄膜特性的影响 | 第85-92页 |
| 3.4 SiN_x插入层生长条件对GaN薄膜特性的影响 | 第92-140页 |
| 3.4.1 SiN_x插入层生长时间对GaN薄膜特性的影响 | 第92-101页 |
| 3.4.2 SiN_x插入层生长位置对GaN薄膜特性的影响 | 第101-110页 |
| 3.4.3 利用不同类型缓冲层和SiN_x插入层制备高质量GaN薄膜 | 第110-118页 |
| 3.4.4 SiN_x插入层生长时间对n-GaN薄膜特性的影响 | 第118-130页 |
| 3.4.5 SiN_x插入层生长位置对n-GaN薄膜特性的影响 | 第130-140页 |
| 3.5 本章小结 | 第140-142页 |
| 参考文献 | 第142-148页 |
| 第4章 SiC衬底上GaN基绿光LEDs的制备研究 | 第148-180页 |
| 4.1 引言 | 第148-149页 |
| 4.2 GaN基水平结构绿光LEDs的制备研究 | 第149-155页 |
| 4.2.1 器件的制备流程 | 第149-151页 |
| 4.2.2 GaN基水平结构绿光LEDs的结构特性研究 | 第151-152页 |
| 4.2.3 GaN基水平结构绿光LEDs的光学和电学特性研究 | 第152-155页 |
| 4.3 带有n-InGaN/n-GaN超晶格应力缓解层的垂直结构绿光LEDs制备研究 | 第155-163页 |
| 4.3.1 器件的制备流程 | 第157-158页 |
| 4.3.2 GaN基垂直结构绿光LEDs的结构特性研究 | 第158-160页 |
| 4.3.3 GaN基垂直结构绿光LEDs的光学和电学特性研究 | 第160-163页 |
| 4.4 带有n-InGaN应力缓解层的垂直结构绿光LEDs制备研究 | 第163-169页 |
| 4.4.1 器件的制备流程 | 第163-164页 |
| 4.4.2 GaN基垂直结构绿光LEDs的结构特性研究 | 第164-166页 |
| 4.4.3 GaN基垂直结构绿光LEDs的光学和电学特性研究 | 第166-169页 |
| 4.5 带有n-AlGaN/n-GaN超晶格应力缓解层的垂直结构绿光LEDs制备研究 | 第169-175页 |
| 4.5.1 器件的制备流程 | 第169页 |
| 4.5.2 GaN基垂直结构绿光LEDs的结构特性研究 | 第169-172页 |
| 4.5.3 GaN基垂直结构绿光LEDs的光学和电学特性研究 | 第172-175页 |
| 4.6 本章小结 | 第175-177页 |
| 参考文献 | 第177-180页 |
| 第5章 SiC衬底上垂直结构紫光LDs的制备及其特性研究 | 第180-198页 |
| 5.1 引言 | 第180-181页 |
| 5.2 无Al GaN上下限制层紫光LDs的制备及其特性研究 | 第181-190页 |
| 5.2.1 器件的制备流程 | 第183-184页 |
| 5.2.2 GaN基垂直结构紫光LDs的结构特性研究及其后工艺 | 第184-189页 |
| 5.2.3 GaN基垂直结构紫光LDs的激射特性分析 | 第189-190页 |
| 5.3 有Al GaN上下限制层紫光LDs的制备及其特性研究 | 第190-195页 |
| 5.3.1 器件的制备流程 | 第190-191页 |
| 5.3.2 GaN基垂直结构紫光LDs的结构特性研究及其后工艺 | 第191-193页 |
| 5.3.3 GaN基垂直结构紫光LDs的激射特性分析 | 第193-195页 |
| 5.4 本章小结 | 第195-196页 |
| 参考文献 | 第196-198页 |
| 结论 | 第198-204页 |
| 本论文的创新点 | 第204-206页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第206-208页 |
| 致谢 | 第208-209页 |
