| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 In GaAs的研究背景和意义 | 第9-11页 |
| 1.2 In GaAs材料的国内外研究进展 | 第11-13页 |
| 1.3 In_x Ga_(1-x) As和InP材料的概述 | 第13-15页 |
| 1.4 半导体材料的外延生长技术 | 第15-18页 |
| 1.4.1 金属有机化学气相沉积技术（MOCVD） | 第15-16页 |
| 1.4.2 分子束外延（MBE） | 第16-17页 |
| 1.4.3 液相外延技术（LPE） | 第17-18页 |
| 1.5 薄膜材料生长的过程 | 第18-20页 |
| 1.6 生长In GaAs材料存在的问题 | 第20-21页 |
| 1.7 本论文的主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 样品的制备及表征 | 第23-31页 |
| 2.1 样品的制备 | 第23页 |
| 2.2 表征手段 | 第23-31页 |
| 2.2.1 透射电子显微镜（TEM）的分析 | 第24-25页 |
| 2.2.2 透射样品的制备过程 | 第25-26页 |
| 2.2.3 X射线衍射（XRD）的分析 | 第26页 |
| 2.2.4 原子力显微镜（AFM）的分析 | 第26页 |
| 2.2.5 扫描电子显微镜（SEM）的分析 | 第26-27页 |
| 2.2.6 拉曼光谱的分析 | 第27-28页 |
| 2.2.7 霍尔效应的分析 | 第28-31页 |
| 第三章 InP衬底上直接生长In_(0.82)Ga_(0.18)As外延层的微结构分析 | 第31-37页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 外延层的表面形貌和微观结构 | 第31-34页 |
| 3.3 InP和In_(0.82)Ga_(0.18)As的界面处位错生长规律 | 第34-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 In_(0.82)Ga_(0.18)As/InP异质外延材料的结构优化 | 第37-51页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 缓冲层厚度对外延层表面形态的影响 | 第37-41页 |
| 4.2.1 SEM对外延层表面形态的研究 | 第37-39页 |
| 4.2.2 AFM对外延层表面形态的研究 | 第39-41页 |
| 4.3 缓冲层厚度对外延层结晶质量的影响 | 第41-44页 |
| 4.3.1 XRD对外延层结晶质量的研究 | 第41-42页 |
| 4.3.2 拉曼光谱对外延层结晶质量的研究 | 第42-44页 |
| 4.4 外延层厚度对样品表面形态和结晶质量的影响 | 第44-46页 |
| 4.5 缓冲层厚度对样品微观结构的影响 | 第46-47页 |
| 4.6 外延层厚度对样品微观结构的影响 | 第47-48页 |
| 4.7 本章小结 | 第48-51页 |
| 第五章 In_(0.82)Ga_(0.18)As/InP异质外延材料的性能研究 | 第51-57页 |
| 5.1 引言 | 第51页 |
| 5.2 样品所受应力的研究 | 第51-53页 |
| 5.2.1 缓冲层厚度对外延层所受应力的影响 | 第51-53页 |
| 5.2.2 外延层厚度对样品所受应力的影响 | 第53页 |
| 5.3 样品电性能的表征 | 第53-56页 |
| 5.3.1 缓冲层厚度对外延层载流子浓度的影响 | 第53-56页 |
| 5.3.2 外延层厚度对外延层载流子浓度的影响 | 第56页 |
| 5.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-67页 |
| 科研成果 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
