| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第14-32页 |
| 1.1 二维半导体及其在微电子领域的应用 | 第14-22页 |
| 1.2 缺陷在半导体中的重要角色 | 第22-27页 |
| 1.3 二维半导体中缺陷物理问题 | 第27-29页 |
| 1.3.1 带电缺陷评估困难 | 第27-28页 |
| 1.3.2 载流子提供及传输图像 | 第28-29页 |
| 1.4 研究目的及主要内容 | 第29-32页 |
| 第2章 理论基础 | 第32-44页 |
| 2.1 第一性原理计算方法 | 第32页 |
| 2.2 基本近似 | 第32-37页 |
| 2.2.1 Born-Oppenheimer近似 | 第32-34页 |
| 2.2.2 Hartree-Fock近似 | 第34-37页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第37-43页 |
| 2.3.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第37-39页 |
| 2.3.2 Kohn-Sham方程 | 第39-42页 |
| 2.3.3 交换关联能量泛函 | 第42-43页 |
| 2.4 理论模拟/计算工具简介 | 第43-44页 |
| 第3章 二维半导体中带电缺陷评价方法的理论研究 | 第44-60页 |
| 3.1 研究背景及意义 | 第44-45页 |
| 3.2 计算方法 | 第45-46页 |
| 3.3 传统带电缺陷评价方法对二维半导体体系失效 | 第46-51页 |
| 3.3.1 失效原因 | 第47-48页 |
| 3.3.2 失效结果 | 第48-51页 |
| 3.3.2.1 带电缺陷能量随晶胞尺寸发散 | 第48-51页 |
| 3.3.2.2 受主缺陷的“鬼态”现象 | 第51页 |
| 3.4 评价二维半导体中带电缺陷的有效方法 | 第51-55页 |
| 3.4.1 针对传统评价方法失效情况的解决思路 | 第51-52页 |
| 3.4.2 带电缺陷能量依赖于晶胞尺寸的数理关系式 | 第52-55页 |
| 3.4.2.1 Madelung能量修正项 | 第52页 |
| 3.4.2.2 静电模型推导 | 第52-55页 |
| 3.5 单层氮化硼本征缺陷及替位杂质的性能评价 | 第55-58页 |
| 3.6 本章总结 | 第58-60页 |
| 第4章 二维半导体中带电缺陷评价方法普适化拓展的理论研究 | 第60-74页 |
| 4.1 研究背景及意义 | 第60页 |
| 4.2 计算方法 | 第60-61页 |
| 4.3 任意厚度、几何结构的二维半导体中带电缺陷能量数理关系式 | 第61-67页 |
| 4.4 少层黑磷中缺陷性能评价 | 第67-72页 |
| 4.4.1 单层黑磷中的本征缺陷和替位杂质 | 第67-69页 |
| 4.4.2 磷空位和碲替位在单层到三层黑磷中的行为规律 | 第69-72页 |
| 4.5 本章总结与展望 | 第72-74页 |
| 第5章 二维半导体中的缺陷激子及其对载流子传输影响的理论研究 | 第74-90页 |
| 5.1 研究背景及意义 | 第74-75页 |
| 5.2 计算方法 | 第75-76页 |
| 5.3 单层二硫化钼中的本征缺陷和替位杂质 | 第76-80页 |
| 5.4 二维半导体中的缺陷激子图像 | 第80-82页 |
| 5.5 单层二硫化钼中的缺陷激子束缚能及束缚带边波函数 | 第82-86页 |
| 5.6 二维半导体缺陷体系的载流子传输图像 | 第86-88页 |
| 5.7 本章小结 | 第88-90页 |
| 第6章 氮/硼掺杂石墨烯氧化物N/P型导电特性的理论研究 | 第90-104页 |
| 6.1 研究背景及意义 | 第90页 |
| 6.2 计算方法 | 第90-93页 |
| 6.3 石墨烯氧化物原子模型 | 第93-94页 |
| 6.4 石墨烯氧化物中氮、硼杂质的局域结构和稳定性 | 第94-97页 |
| 6.5 石墨烯氧化物中氮、硼杂质的离化能力 | 第97-100页 |
| 6.6 氮替位特殊位置的碳引起的LIFT-OFF现象 | 第100-102页 |
| 6.7 受限激发法的合理性 | 第102-103页 |
| 6.8 本章小结 | 第103-104页 |
| 第7章 总结与展望 | 第104-106页 |
| 7.1 总结 | 第104-105页 |
| 7.2 展望 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-120页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第120-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
