| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-10页 |
| 1.1 引论 | 第7-8页 |
| 1.1.1 量子阱材料的发展及应用 | 第7-8页 |
| 1.1.2 Cd1-xMnxTe半导体材料的发展及应用 | 第8页 |
| 1.1.3 激子 | 第8页 |
| 1.2 本论文的主要工作 | 第8-10页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第10-18页 |
| 2.1 有效质量包络函数近似 | 第10页 |
| 2.2 打靶法 | 第10-11页 |
| 2.3 变分法 | 第11-12页 |
| 2.4 激子结合能 | 第12-17页 |
| 2.5 小结 | 第17-18页 |
| 第三章 方型量子阱中激子结合能的研究 | 第18-29页 |
| 3.1.引言 | 第18页 |
| 3.2 理论模型 | 第18-21页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第21-28页 |
| 3.3.1 单量子结果与讨论 | 第21-25页 |
| 3.3.2 双量子结果与讨论 | 第25-27页 |
| 3.3.3 多量子阱结果与讨论 | 第27-28页 |
| 3.4 小结 | 第28-29页 |
| 第四章 抛物型和三角型量子阱中激子结合能的研究 | 第29-41页 |
| 4.1 引言 | 第29页 |
| 4.2 理论方法 | 第29-32页 |
| 4.3 结果及讨论 | 第32-40页 |
| 4.3.1 抛物型量子阱结果与讨论 | 第32-36页 |
| 4.3.2 三角型量子阱结果与讨论 | 第36-40页 |
| 4.4 小结 | 第40-41页 |
| 第五章 非对称量子阱中激子结合能的研究 | 第41-49页 |
| 5.1 引言 | 第41页 |
| 5.2 理论模型 | 第41-43页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第43-48页 |
| 5.3.1 非对称双量子阱结果与讨论 | 第43-45页 |
| 5.3.2 阶梯型量子阱结果与讨论 | 第45-48页 |
| 5.4 小论 | 第48-49页 |
| 第六章 总结与展望 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 在校期间发表的论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |