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65nm先进节点OPC后续修补方法的研究

摘要第3-4页
Abstract第4页
第一章 绪论第5-9页
    第一节 论文研究背景和意义第5-7页
    第二节 论文研究主要工作第7页
    第三节 论文的组织结构第7-9页
第二章 曝光过程和系统第9-18页
    第一节 光刻工艺原理及流程第9-11页
    第二节 曝光系统介绍第11-12页
    第三节 光源的选择第12-14页
    第四节 掩膜版第14-16页
    第五节 成像系统第16-17页
    第六节 光阻第17-18页
第三章 分辨率提高技术(RET)第18-28页
    第一节 衍射效应原理第19-20页
    第二节 几个重要公式和参数第20-22页
    第三节 波长对分辨率的影响第22-23页
    第四节 数值孔径对分辨率的影响第23-24页
    第五节 离轴照明技术第24-25页
    第六节 移相掩膜技术第25-26页
    第七节 光学临近效应校正(OPC)技术第26-28页
第四章 几种OPC方法的比较第28-35页
    第一节 手动OPC(Manual OPC)第28-29页
    第二节 基于规则的OPC(Rule-based OPC)第29-31页
    第三节 辅助图形(Assistant Features)第31-33页
    第四节 基于模型的OPC(Model-based OPC)第33-35页
第五章 OPC后的修补方法(Post-OPC Repair)第35-45页
    第一节 OPC后修补的必要性第35-37页
    第二节 OPC后手动修补第37-42页
    第三节 基于规则的后OPC修补第42-45页
第六章 全文总结第45-46页
参考文献第46-49页
致谢第49-50页

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