当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
Ni-Sn TLPS连接特性与动力学研究
用于紫外发光器件的AlGaN材料的生长及物性研究
电场调制新型AlGaN/GaN HEMTs器件设计及关键技术
超高压力条件半导体材料导热实验研究
高功率4H-SiC JBS/SBD器件可靠性问题研究
掺杂型MgAl2O4电子性能的第一性原理研究
几种有机半导体材料电子结构、自旋输运和量子磁性的研究
压电半导体多场断裂行为研究
基于TCNQ的杂化自旋交叉半导体材料的研究
界面电子和化学结构的X射线光谱学研究
微结构等离子光栅光谱辐射特性调控及应用研究
有机半导体放大自发辐射和单模激光的研究
低维半导体材料光吸收性质的理论研究
深紫外AlGaN低维材料光学性质及应用研究
金刚石/碳纳米片复合阴极的制备及场发射性能的研究
基于流体可纺性直写的微纳掩模制作方法研究
气-液-固三相磨粒流加工方法及微气泡增强效应研究
亚稳相锡氧化合物的结构与铁磁性研究
微结构参数对多孔硅热传导与热整流的影响
氮化镓光电化学刻蚀机理的研究
二硫化钼在石墨类衬底上的外延生长及其异质结构研究
硅基微纳器件加工技术研究
晶圆划片机控制系统的优化与应用
铁离子辐照GaP和GaN晶体微结构损伤研究
氧化锌基陶瓷的冷烧结制备及电学性能研究
Co掺杂ZnO基稀磁半导体磁学性能研究
硅基半导体自旋注入的理论研究
DZ507划片机灵敏度与运动精度可靠性分析
冶炼过程物料混合调度与运行优化问题研究
闭式循环喷雾冷却在无沸腾区换热的实验研究
基于层叠DBC的低杂散参数SiC混合封装集成模块关键技术研究
氮化硅波导色散设计及低热灵敏度光交叉波分复用器的制备
GaN纳米线的制备及其光电探测器研究
极性和非极性面MgZnO薄膜的PLD法制备及其性能研究
二氧化钒晶体的制备及温阻特性研究
高绝缘低损耗高温共烧黑瓷的制备与性能研究
硫化物半导体新型光电薄膜材料的制备与性质研究
N极性AlGaN外延薄膜的生长及特性研究
超薄壁氧化锌单晶微米管的制备与掺杂
碳化硅纳米线表面缺陷及表面改性研究
SiC/SiO2界面点缺陷特性的第一性原理研究
悬挂键对SiC纳米线光电性能的影响
二维GaAs电子结构和光学性质的理论研究
基于MEMS技术的纳米孔研究及其应用
新型石墨烯纳米片基复合电极材料的制备和性能
氧化物半导体与磁性氧化物的MOCVD生长与性质
硅的新物相以及二维五边形平面结构的理论预测
稀土碲基半导体的制备、结构表征及物性的研究
宽禁带半导体氮化镓辐射探测技术研究
一些具有黄铜矿的Te基半导体材料的制备、结构表征及光电性能研究
上一页
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
下一页
