| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 纳米科技简介 | 第9-10页 |
| 1.2 纳米材料简介 | 第10页 |
| 1.3 半导体简介 | 第10-11页 |
| 1.4 SiC纳米材料的研究背景及应用 | 第11-12页 |
| 1.5 SiC基本性质与结构 | 第12-13页 |
| 1.6 研究内容和意义 | 第13-15页 |
| 第2章 理论与方法 | 第15-26页 |
| 2.1 引言 | 第15页 |
| 2.2 周期势场中粒子的量子力学 | 第15-18页 |
| 2.2.1 周期势场 | 第15-16页 |
| 2.2.2 Born-von Karman边界条件 | 第16-17页 |
| 2.2.3 周期势场中的Schrodinger方程 | 第17-18页 |
| 2.2.4 Bloch定理 | 第18页 |
| 2.3 近自由电子模型 | 第18-21页 |
| 2.3.1 单电子能态 | 第19页 |
| 2.3.2 多简并能级 | 第19-20页 |
| 2.3.3 二级简并自由电子能级 | 第20-21页 |
| 2.4 光学性质 | 第21-24页 |
| 2.4.1 光学过程分类 | 第21-23页 |
| 2.4.2 光学系数 | 第23-24页 |
| 2.5 计算软件和模块 | 第24-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章悬挂键对SiC纳米线光电性能的影响 | 第26-39页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 模拟方法与结构构造 | 第26-28页 |
| 3.3 不同直径的SiC纳米线的结构稳定性、电学和光学性质 | 第28-36页 |
| 3.3.1 结构稳定性 | 第28-30页 |
| 3.3.2 能带和态密度 | 第30-32页 |
| 3.3.3 光学性质 | 第32-36页 |
| 3.4 表面悬挂键抑制量子尺寸效应 | 第36-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 悬挂键对掺杂SiC纳米线光电性能的影响 | 第39-49页 |
| 4.1 引言 | 第39页 |
| 4.2 计算方法与模型 | 第39-41页 |
| 4.3 分析与讨论 | 第41-47页 |
| 4.3.1 结构稳定性 | 第41-42页 |
| 4.3.2 电学性质 | 第42-45页 |
| 4.3.3 光学性质 | 第45-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 结论 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研任务与主要成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
