| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 N极性AlGaN基材料的研究背景及意义 | 第11-19页 |
| 1.1.1 N极性AlGaN基材料的基本特性 | 第12-15页 |
| 1.1.2 N极性AlGaN基材料的异质结特性 | 第15-17页 |
| 1.1.3 N极性AlGaN基材料的应用及发展现状 | 第17-19页 |
| 1.2 N极性AlGaN外延薄膜的研究现状及亟待解决的问题 | 第19-20页 |
| 1.3 本论文的研究内容及创新点 | 第20-22页 |
| 第二章 MOCVD外延生长技术及相关表征与测试技术 | 第22-35页 |
| 2.1 引言 | 第22-23页 |
| 2.2 MOCVD外延生长技术 | 第23-27页 |
| 2.2.1 MOCVD技术简介 | 第23-24页 |
| 2.2.2 MOCVD系统设备结构及其工作原理 | 第24-27页 |
| 2.3 相关表征与测试技术 | 第27-34页 |
| 2.3.1 高分辨X射线衍射仪(HR-XRD) | 第28-30页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| 2.3.3 霍尔(Hall)效应测试 | 第31-33页 |
| 2.3.4 光致发光光谱(PL) | 第33-34页 |
| 2.3.5 其他表征与测试技术 | 第34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 N极性AlGaN外延薄膜的生长研究 | 第35-60页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 AlGaN外延薄膜的极性判定研究 | 第35-37页 |
| 3.3 氮化过程对N极性AlGaN外延薄膜性质的影响 | 第37-48页 |
| 3.3.1 NH_3流量 | 第37-42页 |
| 3.3.2 氮化时间 | 第42-48页 |
| 3.4 生长温度对N极性AlGaN外延薄膜性质的影响 | 第48-51页 |
| 3.5 生长速率对N极性AlGaN外延薄膜生长的影响 | 第51-54页 |
| 3.6 N极性AlGaN外延薄膜n型掺杂的研究 | 第54-57页 |
| 3.6.1 生长参数设计 | 第54-55页 |
| 3.6.2 结果分析 | 第55-57页 |
| 3.7 本章小结 | 第57-60页 |
| 第四章 自组装N极性微米级GaN六棱柱的研究 | 第60-67页 |
| 4.1 引言 | 第60-61页 |
| 4.2 N极性微米级GaN六棱柱的生长 | 第61-62页 |
| 4.3 表征结果与分析 | 第62-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-71页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第67-68页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第68-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 附录：攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第81页 |
