| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-34页 |
| 1.1 自旋电子学的产生和发展 | 第12-15页 |
| 1.2 自旋电子学器件面临的挑战 | 第15-21页 |
| 1.2.1 自旋极化电子的产生和注入 | 第15-18页 |
| 1.2.2 自旋极化输运的背景和发展 | 第18-19页 |
| 1.2.3 自旋的调控与检测 | 第19-21页 |
| 1.3 硅基自旋电子学器件 | 第21-27页 |
| 1.3.1 三端自旋电子学器件 | 第23-25页 |
| 1.3.2 四端自旋电子学器件 | 第25-26页 |
| 1.3.3 目前存在的争议 | 第26-27页 |
| 1.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-34页 |
| 第二章: 格林函数法简介和自旋输运模型 | 第34-72页 |
| 2.1 格点格林函数法和自洽解 | 第34-41页 |
| 2.1.1 有限差分法 | 第34-37页 |
| 2.1.2 MOS器件结构态密度的自洽解 | 第37-41页 |
| 2.2 非平衡格林函数 | 第41-51页 |
| 2.2.1 非平衡密度矩阵 | 第42-44页 |
| 2.2.2 电流密度 | 第44-46页 |
| 2.2.3 透射系数 | 第46-48页 |
| 2.2.4 举例 | 第48-51页 |
| 2.3 散射态展开的格林函数法 | 第51-60页 |
| 2.4 自旋输运模型 | 第60-70页 |
| 2.4.1 双电流模型与F/N/F结 | 第60-63页 |
| 2.4.2 电阻率失配问题 | 第63-66页 |
| 2.4.3 Fert理论模型 | 第66-70页 |
| 2.5 本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 第三章: 硅基磁隧道接触和Spin-MOSFET的优化设计及高效自旋注入 | 第72-100页 |
| 3.1 用格点格林函数解决Spin-MOSFET的自旋输运问题 | 第72-76页 |
| 3.2 各个参数对FM/I/n-Si隧道接触的自旋注入的影响 | 第76-90页 |
| 3.2.1 电压的影响 | 第77-81页 |
| 3.2.2 掺杂浓度的影响 | 第81-82页 |
| 3.2.3 半导体晶向的影响 | 第82-83页 |
| 3.2.4 铁磁金属的影响 | 第83-86页 |
| 3.2.5 绝缘层材料的影响 | 第86-88页 |
| 3.2.6 温度的影响 | 第88-90页 |
| 3.3 基于低势垒隧穿层的高效自旋注入 | 第90-97页 |
| 本章小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-100页 |
| 第四章: 总结与展望 | 第100-102页 |
| 附录 硕士期间科研成果 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103页 |
