| 中文摘要 | 第4-6页 |
| 英文摘要 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-44页 |
| 1.1 自旋电子学的研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 自旋电子器件基本原理 | 第12-13页 |
| 1.3 自旋注入材料 | 第13-17页 |
| 1.4 ZnO材料的研究背景 | 第17-19页 |
| 1.4.1 研究历史 | 第18-19页 |
| 1.4.2 应用领域 | 第19页 |
| 1.5 ZnO材料的基本性质 | 第19-25页 |
| 1.5.1 晶体结构 | 第19-21页 |
| 1.5.2 能带结构工程 | 第21-22页 |
| 1.5.3 电学性质 | 第22-25页 |
| 1.6 ZnO的杂质和掺杂 | 第25-29页 |
| 1.6.1 ZnO的杂质 | 第25-27页 |
| 1.6.2 ZnO的n型和p型掺杂 | 第27-29页 |
| 1.7 蓝宝石衬底上宽禁带半导体的外延生长技术 | 第29-32页 |
| 1.7.1 GaN缓冲层生长 | 第29-31页 |
| 1.7.2 ZnO缓冲层生长 | 第31-32页 |
| 1.8 论文主要研究内容和论文结构 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-44页 |
| 第二章 MOCVD薄膜生长与表征技术 | 第44-61页 |
| 2.1 MOCVD薄膜生长技术 | 第44-49页 |
| 2.2 薄膜材料的表征技术 | 第49-60页 |
| 2.2.1 引言 | 第49页 |
| 2.2.2 X射线衍射(XRD) | 第49-53页 |
| 2.2.3 光致发光(PL) | 第53-55页 |
| 2.2.4 霍尔效应测量 | 第55-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第三章 蓝宝石衬底表面预处理对ZnO薄膜的影响外延生长 | 第61-75页 |
| 3.1 引言 | 第61-62页 |
| 3.2 蓝宝石衬底预处理ZnO缓冲层的制备 | 第62-63页 |
| 3.3 不同衬底预处理温度优化生长ZnO缓冲层 | 第63-68页 |
| 3.4 原位退火和衬底预处理的作用 | 第68-70页 |
| 3.5 讨论与分析 | 第70-72页 |
| 3.6 本章小结 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第四章 ZnO缓冲层厚度对ZnO薄膜外延生长的影响 | 第75-95页 |
| 4.1 引言 | 第75-78页 |
| 4.2 ZnO缓冲层和外延层的制备 | 第78-79页 |
| 4.3 不同厚度的ZnO缓冲层 | 第79-83页 |
| 4.4 基于不同厚度缓冲层的ZnO外延生长 | 第83-92页 |
| 4.5 本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-95页 |
| 第五章 Fe_3O_4薄膜的MOCVD生长与性质 | 第95-123页 |
| 5.1 引言 | 第95页 |
| 5.2 Fe_3O_4薄膜的MOCVD生长 | 第95-96页 |
| 5.3 Fe_3O_4薄模样品的表征测量技术 | 第96-97页 |
| 5.4 不同生长氧源生长的Fe_3O_4薄膜的比较研究 | 第97-100页 |
| 5.5 Fe_3O_4/GaN薄膜异质结构的界面研究 | 第100-104页 |
| 5.6 基于GaN衬底预处理的Fe_3O_4/GaN异质结构的界面研究 | 第104-116页 |
| 5.7 基于Fe_3O_4/GaN异质结构的自旋注入器件的初步研究 | 第116-119页 |
| 5.8 本章小结 | 第119-120页 |
| 参考文献 | 第120-123页 |
| 第六章 结论与展望 | 第123-125页 |
| 致谢 | 第125-126页 |
| 论文发表情况 | 第126-128页 |
