| 摘要 | 第10-12页 |
| Abstract | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第15-47页 |
| 1.1 GaN半导体材料 | 第15-16页 |
| 1.2 GaN晶体生长及结构 | 第16-20页 |
| 1.2.1 GaN晶体生长 | 第16-17页 |
| 1.2.2 GaN晶体结构 | 第17-19页 |
| 1.2.3 GaN薄膜的缺陷微结构 | 第19-20页 |
| 1.3 GaN的干法刻蚀 | 第20-21页 |
| 1.4 GaN的湿法刻蚀 | 第21-27页 |
| 1.4.1 化学刻蚀 | 第21-23页 |
| 1.4.2 电化学刻蚀 | 第23-26页 |
| 1.4.3 不同极性面刻蚀 | 第26-27页 |
| 1.5 低共熔溶剂性质及其应用 | 第27-28页 |
| 1.6 半导体光电化学及界面 | 第28-31页 |
| 1.7 本论文研究目的及研究内容 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-47页 |
| 笫二章 实验部分 | 第47-59页 |
| 2.1 实验试剂和材料 | 第47-48页 |
| 2.2 实验仪器 | 第48-49页 |
| 2.3 实验方法及原理 | 第49-58页 |
| 2.3.1 电化学实验方法和原理 | 第49-51页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM) | 第51-52页 |
| 2.3.3 原子力显微镜(Atom Force Microscope，AFM) | 第52-54页 |
| 2.3.4 光刻技术(Lithography) | 第54-55页 |
| 2.3.5 磁控溅射镀膜系统(Magnetron sputtering coating system) | 第55-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第三章 GaN在DES和水基溶液中的光电化学刻蚀机理研究 | 第59-87页 |
| 3.1 前言 | 第59-60页 |
| 3.2 实验部分 | 第60-63页 |
| 3.2.1 Ga面(0001)GaN晶片的表征及研究电极制备 | 第60-61页 |
| 3.2.2 DES配制及其电化学性质 | 第61-62页 |
| 3.2.3 暗态化学刻蚀 | 第62页 |
| 3.2.4 PEC实验 | 第62-63页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第63-83页 |
| 3.3.1 暗态化学刻蚀 | 第63-64页 |
| 3.3.2 暗态电化学阳极腐蚀 | 第64-65页 |
| 3.3.3 GaN/溶液表界面的光电化学反应过程研究 | 第65-70页 |
| 3.3.4 GaN在DES中刻蚀后表面形貌研究 | 第70-76页 |
| 3.3.5 刻蚀速率 | 第76-83页 |
| 3.4 本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 第四章 基于软模板的距离敏感ELPEC刻蚀初步研究 | 第87-105页 |
| 4.1 前言 | 第87-89页 |
| 4.2 实验部分 | 第89-91页 |
| 4.2.1 薄层流动池设计 | 第89-90页 |
| 4.2.2 Pt掩模制备 | 第90页 |
| 4.2.3 薄层流动电解池中无电极刻蚀 | 第90-91页 |
| 4.2.4 S_2O_8~(2-)和H_2O_2在Pt电极上氧化还原行为 | 第91页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第91-101页 |
| 4.3.1 酸性条件薄层流动下ELPEC刻蚀研究 | 第91-97页 |
| 4.3.2 碱性条件薄层流动下ELPEC刻蚀研究 | 第97-98页 |
| 4.3.3 Pt电极上S_2O_8~(2-)及H_2O_2的还原 | 第98-100页 |
| 4.3.4 无电极刻蚀界面模型 | 第100-101页 |
| 4.4 本章小结 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-105页 |
| 在学期间发表论文 | 第105-106页 |
| 致谢 | 第106-108页 |
