深紫外AlGaN低维材料光学性质及应用研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物半导体材料的发展历史 | 第12-15页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物半导体材料的结构与性质 | 第15-21页 |
| 1.2.1 晶格结构 | 第15页 |
| 1.2.2 物理特性 | 第15-18页 |
| 1.2.3 能带特性 | 第18-19页 |
| 1.2.4 极化特性 | 第19-21页 |
| 1.3 AlGaN低维材料结构与性质 | 第21-26页 |
| 1.3.1 AlGaN量子阱 | 第22-24页 |
| 1.3.2 AlGaN量子点 | 第24-26页 |
| 1.4 本论文的研究内容和结构安排 | 第26-28页 |
| 第二章 材料生长技术与实验方法 | 第28-38页 |
| 2.1 MOCVD生长技术 | 第28-30页 |
| 2.2 实验测试方法 | 第30-35页 |
| 2.2.1 光致发光 | 第30-34页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第34-35页 |
| 2.3 器件制备关键技术 | 第35-37页 |
| 2.3.1 键合技术 | 第35页 |
| 2.3.2 激光剥离技术 | 第35-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 AlGaN低维材料光学特性研究 | 第38-55页 |
| 3.1 AlGaN低维材料结构 | 第38-39页 |
| 3.1.1 AlGaN量子阱样品结构 | 第38页 |
| 3.1.2 AlGaN量子点样品结构 | 第38-39页 |
| 3.2 低温变功率PL测试 | 第39-46页 |
| 3.2.1 AlGaN量子阱变功率测试 | 第39-42页 |
| 3.2.2 AlGaN量子点变功率测试 | 第42-45页 |
| 3.2.3 变功率PL结果比较 | 第45-46页 |
| 3.3 变温PL测试 | 第46-53页 |
| 3.3.1 AlGaN量子阱变温测试 | 第46-49页 |
| 3.3.2 AlGaN量子点变温测试 | 第49-53页 |
| 3.3.3 变温PL结果比较 | 第53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 深紫外光泵VCSEL研制 | 第55-76页 |
| 4.1 高反射率DBR设计 | 第55-64页 |
| 4.1.1 分布布拉格反射镜(DBR) | 第55-61页 |
| 4.1.2 DBR生长方案 | 第61-62页 |
| 4.1.3 DBR实际生长结果与模拟比较 | 第62-64页 |
| 4.2 器件制备工艺流程 | 第64-65页 |
| 4.3 激光剥离试验 | 第65-74页 |
| 4.3.1 AlGaN量子阱样品激光剥离试验 | 第65-66页 |
| 4.3.2 AlGaN量子点样品激光剥离试验 | 第66-72页 |
| 4.3.3 AFM测试 | 第72-74页 |
| 4.4 器件性能测试及改进 | 第74-75页 |
| 4.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 第五章 总结与展望 | 第76-78页 |
| 在学期间发表论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-88页 |
