超高压力条件半导体材料导热实验研究
摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
符号说明表 | 第17-19页 |
第1章 绪论 | 第19-35页 |
1.1 课题研究背景及意义 | 第19-22页 |
1.1.1 地球环境演化预测及资源开发 | 第19-20页 |
1.1.2 高压高温超导体 | 第20-22页 |
1.1.3 功能材料的高压合成及改性 | 第22页 |
1.2 课题研究的科学依据 | 第22-25页 |
1.2.1 导热的宏观描述 | 第22-23页 |
1.2.2 导热的微观描述 | 第23-24页 |
1.2.3 超高压条件导热 | 第24-25页 |
1.3 超高压导热实验研究现状 | 第25-33页 |
1.3.1 超高压力实现方法 | 第25-26页 |
1.3.2 测压方法研究现状 | 第26-28页 |
1.3.3 超高压导热研究 | 第28-31页 |
1.3.4 超高压TDTR导热研究现状 | 第31-33页 |
1.4 研究目的及研究内容 | 第33-35页 |
1.4.1 研究目的 | 第33页 |
1.4.2 研究内容 | 第33-35页 |
第2章 TDTR测试原理及超高压实验系统 | 第35-70页 |
2.1 TDTR测试原理 | 第35-50页 |
2.1.1 TDTR传热模型 | 第37-39页 |
2.1.2 TDTR信号的来源与转化 | 第39-42页 |
2.1.3 TDTR测试样品的温度响应 | 第42-47页 |
2.1.4 不确定度及敏感度分析 | 第47-50页 |
2.2 超高压DAC样品的制备 | 第50-57页 |
2.2.1 DAC技术简介 | 第50-51页 |
2.2.2 超高压DAC装配 | 第51-56页 |
2.2.3 样品压力测量 | 第56-57页 |
2.3 TDTR+DAC实验系统 | 第57-64页 |
2.3.1 TDTR系统的优化 | 第57-62页 |
2.3.2 超高压样品台的设计 | 第62-63页 |
2.3.3 超高压原位成像系统的设计 | 第63-64页 |
2.4 TDTR信号的测量 | 第64-69页 |
2.4.1 TDTR超快过程信号 | 第64-66页 |
2.4.2 测试点的选择 | 第66-67页 |
2.4.3 超高压TDTR信号 | 第67-69页 |
2.5 本章小结 | 第69-70页 |
第3章 超高压TDTR实验数据处理方法 | 第70-96页 |
3.1 超高压TDTR测量中DAC内部传热模型 | 第70-75页 |
3.1.1 双向传热模型的建立 | 第71-73页 |
3.1.2 双向传热模型的验证 | 第73-75页 |
3.2 超高压工况自由参数处理分析 | 第75-81页 |
3.3 布里渊信号和回声信号分析 | 第81-83页 |
3.3.1 布里渊频率信号 | 第81-82页 |
3.3.2 回声信号 | 第82-83页 |
3.4 实验数据处理方法 | 第83-95页 |
3.4.1 两步拟合法 | 第84-87页 |
3.4.2 传热模型的简化 | 第87-95页 |
3.5 本章小结 | 第95-96页 |
第4章 半导体材料热导率的压力依存性研究 | 第96-128页 |
4.1 超高压单晶Si热导率的压力依存性研究 | 第96-113页 |
4.1.1 超高压下单晶Si热导率的实验测量 | 第96-99页 |
4.1.2 实验误差分析 | 第99-108页 |
4.1.3 单晶Si热导率压力依存性计算分析 | 第108-113页 |
4.2 超高压GAAS热导率的压力依存性研究 | 第113-125页 |
4.2.1 超高压下GaAs晶格结构变化 | 第114页 |
4.2.2 超高压下GaAs热导率的实验测量 | 第114-116页 |
4.2.3 实验误差分析 | 第116-119页 |
4.2.4 GaAs热导率压力依存性计算分析 | 第119-125页 |
4.3 界面热导的压力依存性研究 | 第125-126页 |
4.4 本章小结 | 第126-128页 |
第5章 结论与展望 | 第128-131页 |
5.1 本文研究结论 | 第128-129页 |
5.2 本文创新点 | 第129页 |
5.3 对未来工作的展望 | 第129-131页 |
参考文献 | 第131-140页 |
致谢 | 第140-141页 |
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第141-142页 |