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基于TCNQ的杂化自旋交叉半导体材料的研究

摘要第9-10页
Abstract第10页
第一章 绪论第11-61页
    1.1 引言第11页
    1.2 分子基磁性材料第11-12页
    1.3 双稳态材料第12-15页
    1.4 自旋交叉第15-24页
        1.4.1 自旋交叉配合物的几种类型第16-18页
        1.4.2 影响自旋转变的物理因素第18-20页
        1.4.3 影响自旋转变的化学因素第20-22页
        1.4.4 自旋交叉配合物的进展第22-24页
    1.5 多功能自旋交叉材料第24-32页
        1.5.1 自旋交叉与磁有序第24-27页
        1.5.2 自旋交叉与液晶性能第27-28页
        1.5.3 自旋交叉与主客体化学第28-29页
        1.5.4 自旋交叉与荧光第29-32页
    1.6 自旋交叉材料的电学性能研究第32-42页
        1.6.1 非杂化自旋交叉材料的介电性能研究第32-33页
        1.6.2 非杂化自旋交叉材料的导电性能研究第33-34页
        1.6.3 杂化自旋交叉材料的导电性能研究第34-42页
    1.7 本论文的选题背景与研究内容第42-44页
    参考文献第44-61页
第二章 单核二价钴体系中自旋交叉和半导体行为的研究第61-80页
    2.1 实验部分第62-64页
    2.2 结果讨论第64-73页
        2.2.1 晶体结构分析第64-71页
        2.2.2 变温磁化率和导电性分析第71-72页
        2.2.3 变温EPR分析第72-73页
    2.3 结论第73-76页
    参考文献第76-80页
第三章 单核二价铁体系中自旋交叉和半导体行为的研究第80-99页
    3.1 实验部分第81-83页
    3.2 结果讨论第83-95页
        3.2.1 晶体结构分析第83-92页
        3.2.2 变温磁化率和导电性分析第92-94页
        3.2.3 变温EPR分析第94-95页
    3.3 结论第95-96页
    参考文献第96-99页
第四章 总结和展望第99-101页
附录 在学期间发表的主要论文第101-102页
致谢第102页

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