GaN纳米线的制备及其光电探测器研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 前言 | 第9-15页 |
| 1.1.1 GaN材料的基本性质 | 第9-10页 |
| 1.1.2 纳米材料概述 | 第10-11页 |
| 1.1.3 紫外探测的研究背景 | 第11-12页 |
| 1.1.4 半导体材料在紫外探测方面的研究 | 第12-13页 |
| 1.1.5 光电探测器的主要评估参数 | 第13-15页 |
| 1.2 GaN基紫外探测器的研究现状 | 第15-20页 |
| 1.2.1 光电导紫外探测器 | 第15-16页 |
| 1.2.2 PIN型和PN型紫外探测器 | 第16-18页 |
| 1.2.3 肖特基型紫外探测器 | 第18页 |
| 1.2.4 MSM紫外探测器 | 第18-20页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 GaN纳米线的制备及表征 | 第22-37页 |
| 2.1 GaN纳米线生长及测试仪器简介 | 第22-27页 |
| 2.1.1 材料制备仪器 | 第22-23页 |
| 2.1.2 测试仪器 | 第23-27页 |
| 2.2 GaN纳米线的制备以及表征 | 第27-34页 |
| 2.2.1 GaN纳米线形貌与生长温度的关系 | 第30-31页 |
| 2.2.2 GaN纳米线形貌与生长时间的关系 | 第31-32页 |
| 2.2.3 GaN纳米线形貌与反应气源的关系 | 第32-34页 |
| 2.3 小结 | 第34-37页 |
| 第三章 全纳米结构的光探测器研究 | 第37-44页 |
| 3.1 实验所需材料的制备 | 第37-38页 |
| 3.2 测试手段 | 第38页 |
| 3.3 水平纳米线MSM型探测器 | 第38-41页 |
| 3.3.1 探测器的制备 | 第38-39页 |
| 3.3.2 探测器的Ⅰ-Ⅴ特性曲线 | 第39-40页 |
| 3.3.3 探测器的响应时间 | 第40-41页 |
| 3.4 竖直纳米线的MSM型探测器 | 第41-43页 |
| 3.4.1 探测器的制备 | 第41-42页 |
| 3.4.2 探测器的Ⅰ-Ⅴ特性曲线 | 第42页 |
| 3.4.3 探测器的响应时间 | 第42-43页 |
| 3.5 小结 | 第43-44页 |
| 第四章 退火对光探测器的影响及其前置放大电路设计 | 第44-54页 |
| 4.1 探测器的制备 | 第44-45页 |
| 4.2 探测器的性能表征 | 第45-49页 |
| 4.2.1 形貌表征 | 第45-47页 |
| 4.2.2 探测器的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第47-48页 |
| 4.2.3 探测器的响应时间 | 第48-49页 |
| 4.3 结果分析 | 第49-50页 |
| 4.4 前置放大电路设计 | 第50-54页 |
| 4.4.1 光电二极管的工作模式和器件选型 | 第51-52页 |
| 4.4.2 电路设计及仿真 | 第52-54页 |
| 第五章 结论与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
