| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第16-17页 |
| 1.2 SiC材料的发展历史 | 第17页 |
| 1.3 SiC材料的特点 | 第17-21页 |
| 1.3.1 材料特性 | 第18-19页 |
| 1.3.2 SiC/SiO_2界面态研究进展 | 第19-21页 |
| 1.4 研究目的及意义 | 第21-22页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第22-24页 |
| 第二章 第一性原理及软件介绍 | 第24-36页 |
| 2.1 第一性原理 | 第24-25页 |
| 2.2 密度泛函理论（Density Functional Theory,简称DFT） | 第25-31页 |
| 2.2.1 薛定谔方程 | 第26-27页 |
| 2.2.2 Born-Oppenheimer近似 | 第27页 |
| 2.2.3 Hohenberg-Kohn定理 | 第27-29页 |
| 2.2.4 Kohn-Sham方程 | 第29-30页 |
| 2.2.5 交换关联泛函 | 第30-31页 |
| 2.3 Material studio程序包介绍 | 第31-32页 |
| 2.4 形成能的计算 | 第32-33页 |
| 2.5 参数的选取以及试验 | 第33-36页 |
| 第三章 Si面接触的SiC/SiO_2界面缺陷 | 第36-50页 |
| 3.1 模型结构 | 第36-39页 |
| 3.2 结论与分析 | 第39-50页 |
| 3.2.1 模型态密度综述 | 第39-40页 |
| 3.2.2 Si空位结构（V_(Si)） | 第40-42页 |
| 3.2.3 C空位结构（V_C） | 第42-43页 |
| 3.2.4 双空位结构（V_(di)） | 第43-44页 |
| 3.2.5 反对位结构（AP） | 第44-45页 |
| 3.2.6 Si接触面结构中缺陷特点及形成能 | 第45-50页 |
| 第四章 C面接触的SiC/SiO_2界面缺陷 | 第50-62页 |
| 4.1 模型结构 | 第50-52页 |
| 4.2 C接触面界面结构分析 | 第52-62页 |
| 4.2.1 界面缺陷的概况 | 第52-54页 |
| 4.2.2 Si空位结构（V_(Si)） | 第54页 |
| 4.2.3 C空位结构（V_(C)） | 第54-56页 |
| 4.2.4 双空位结构（V_(di)） | 第56-57页 |
| 4.2.5 反对位结构（AP） | 第57-58页 |
| 4.2.6 与Si面接触结构的对比 | 第58-62页 |
| 第五章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 5.1 本文主要工作及成果 | 第62页 |
| 5.2 未来可进一步探索的工作 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 作者简介 | 第70-71页 |