| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第14-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-31页 |
| 1.1 Ga N材料在功率半导体领域的优势 | 第22-25页 |
| 1.2 Ga N基功率半导体器件概述 | 第25-29页 |
| 1.3 本文的研究内容和安排 | 第29-31页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMTs器件的基本原理 | 第31-45页 |
| 2.1 Ga N材料的生长 | 第31-34页 |
| 2.1.1 异质外延生长和衬底的选择 | 第31-33页 |
| 2.1.2 成核层技术、P型掺杂技术 | 第33-34页 |
| 2.2 AlGaN/GaN异质结材料的极化效应 | 第34-37页 |
| 2.2.1 自发极化 | 第34-35页 |
| 2.2.2 压电极化 | 第35-37页 |
| 2.3 2DEG的面密度和迁移率 | 第37-39页 |
| 2.3.1 2DEG的面密度 | 第37-39页 |
| 2.3.2 2DEG的迁移率 | 第39页 |
| 2.4 增强型AlGaN/GaN HEMTs器件技术 | 第39-43页 |
| 2.4.1 薄势垒层 | 第40页 |
| 2.4.2 凹槽栅 | 第40-42页 |
| 2.4.3 氟离子注入 | 第42-43页 |
| 2.4.4 P型帽层 | 第43页 |
| 2.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMTs器件的击穿机理 | 第45-59页 |
| 3.1 Si基 LDMOS和 SiC基 SBD的击穿机理 | 第45-46页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMTs器件的击穿机理 | 第46-57页 |
| 3.2.1 碰撞电离导致的Schottky结雪崩击穿 | 第46-51页 |
| 3.2.2 高栅极泄漏电流引起的击穿 | 第51-52页 |
| 3.2.3 GaN缓冲层泄漏电流引起的击穿 | 第52-53页 |
| 3.2.4 垂直击穿 | 第53-54页 |
| 3.2.5 雪崩击穿和缓冲层漏电流击穿的仿真结果分析 | 第54-57页 |
| 3.3 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 具有电场调制部分本征GaN帽层新型AlGaN/GaNHEMTs研究 | 第59-107页 |
| 4.1 部分本征Ga N帽层新型AlGaN/GaN HEMTs设计 | 第60-64页 |
| 4.2 增强型部分本征Ga N帽层新型AlGaN/GaN HEMTs设计 | 第64-68页 |
| 4.3 部分本征Ga N帽层新型AlGaN/GaN HEMTs的解析模型 | 第68-77页 |
| 4.3.1 完全耗尽时的解析模型 | 第68-74页 |
| 4.3.2 不完全耗尽时的解析模型 | 第74-75页 |
| 4.3.3 部分本征Ga N帽层新型AlGaN/GaN HEMTs的模型验证 | 第75-77页 |
| 4.4 部分本征Ga N帽层新型AlGaN/GaN HEMTs实验及测试 | 第77-104页 |
| 4.4.1 关键工艺 | 第77-90页 |
| 4.4.2 直流特性测试结果及分析 | 第90-101页 |
| 4.4.3 高温特性测试结果及分析 | 第101-104页 |
| 4.5 本章小结 | 第104-107页 |
| 第五章 具有电场调制刻蚀AlGaN势垒层AlGaN/GaN HEMTs研究 | 第107-133页 |
| 5.1 刻蚀AlGaN势垒层AlGaN/GaN HEMTs的解析模型 | 第107-116页 |
| 5.1.1 完全耗尽时的解析模型 | 第108-112页 |
| 5.1.2 不完全耗尽时的解析模型 | 第112-113页 |
| 5.1.3 刻蚀AlGaN势垒层AlGaN/GaN HEMTs的模型验证 | 第113-116页 |
| 5.2 刻蚀AlGaN势垒层AlGaN/GaN HEMTs实验及测试 | 第116-130页 |
| 5.2.1 关键工艺 | 第116-121页 |
| 5.2.2 直流特性测试结果及分析 | 第121-127页 |
| 5.2.3 高温特性测试结果及分析 | 第127-130页 |
| 5.3 本章小结 | 第130-133页 |
| 第六章 总结与展望 | 第133-135页 |
| 6.1 总结 | 第133-134页 |
| 6.2 展望 | 第134-135页 |
| 参考文献 | 第135-149页 |
| 致谢 | 第149-151页 |
| 作者简介 | 第151-154页 |
| 1.基本情况 | 第151页 |
| 2.教育背景 | 第151页 |
| 3.攻读博士学位期间的研究成果 | 第151-154页 |
| 3.1 发表学术论文 | 第151-152页 |
| 3.2 申请专利 | 第152页 |
| 3.3 参与科研项目及获奖 | 第152-154页 |
