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金刚石/碳纳米片复合阴极的制备及场发射性能的研究

中文摘要第6-7页
abstract第7-8页
第一章 绪论第11-17页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 碳纳米片简介第12页
    1.3 碳纳米片/墙的制备第12-13页
    1.4 碳纳米片的特性和应用第13-14页
    1.5 金刚石薄膜作为场发射冷阴极材料第14-16页
        1.5.1 金刚石的结构第14页
        1.5.2 金刚石的性质第14-15页
        1.5.3 金刚石薄膜作为场发射冷阴极材料第15-16页
    1.6 本论文研究目标第16-17页
第二章 场发射理论基础第17-21页
    2.1 隧穿效应第17页
    2.2 场发射理论第17-18页
    2.3 场发射评价指标第18-19页
    2.4 场发射材料的选择标准第19页
    2.5 碳纳米片在冷阴极场发射显示器中的优势及存在的问题第19-21页
第三章 主要实验设备介绍第21-34页
    3.1 衬底预处理细化实验流程第21-24页
        3.1.1 硅片预处理第21页
        3.1.2 陶瓷片机械研磨第21-22页
        3.1.3 超声清洗仪第22-24页
    3.2 金刚石碳纳米片复合材料的制备设备第24-30页
        3.2.1 金刚石/碳纳米片复合薄膜制备流程图第24页
        3.2.2 电子束蒸发第24-27页
        3.2.3 微波等离子体化学沉积系统第27-30页
    3.3 复合材料特性表征第30-34页
        3.3.1 光学显微镜(OM)第30页
        3.3.2 扫描电子显微镜(SEM)第30-31页
        3.3.3 X射线衍射(XRD)第31页
        3.3.4 激光拉曼光谱第31页
        3.3.5 高真空场发射测试系统第31-34页
第四章 金刚石/碳纳米片复合薄膜材料的制备及场发射性能研究第34-56页
    4.1 金刚石薄膜的制备第34-38页
        4.1.1 硅片的预处理第34-35页
        4.1.2 金刚石薄膜制备工艺第35页
        4.1.3 金刚石薄膜的结构表征第35-36页
        4.1.4 金刚石薄膜场发射特性检测第36-38页
    4.2 无催化的金刚石/碳纳米片的制备第38-48页
        4.2.1 碳纳米片的制备过程第38页
        4.2.2 工艺参数对碳纳米片的影响第38-46页
        4.2.3 在金刚石膜上无催化制备碳纳米片薄膜的最优化实验条件第46页
        4.2.4 最优条件下制备的碳纳米片薄膜的结构表征第46-48页
    4.3 催化剂对碳纳米片的影响第48-55页
        4.3.1 缓冲层的制备第48-49页
        4.3.2 催化剂概述第49页
        4.3.3 催化剂的制备实验过程第49页
        4.3.4 在镀有缓冲层和催化剂的金刚石上生长碳纳米片第49-53页
        4.3.5 加有催化剂的金刚石/碳纳米片复合材料的结构表征第53-55页
    4.4 本章小结第55-56页
第五章 不同衬底材料对碳纳米片薄膜的影响第56-68页
    5.1 硅衬底上生长碳纳米片第56-59页
    5.2 镀有缓冲层和催化剂的硅衬底上生长碳纳米片第59-60页
    5.3 在镀有金属Mo膜的陶瓷基片衬底上生长碳纳米片第60-63页
    5.4 单层碳纳米片、金刚石薄膜、无催化的金刚石/碳纳米片复合膜及有催化剂的金刚石/碳纳米片复合膜的场发射比较第63-66页
    5.5 本章小结第66-68页
第六章 结论第68-69页
参考文献第69-73页
在读期间公开发表的论文和承担科研项目及取得成果第73-74页
致谢第74页

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