基于MEMS技术的纳米孔研究及其应用
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第6-16页 |
| 1.1 纳米孔研究背景和意义 | 第6-9页 |
| 1.1.1 生物分子测序应用 | 第7页 |
| 1.1.2 纳米等离子体传感器 | 第7-9页 |
| 1.2 固态纳米孔制备国内外研究进展 | 第9-13页 |
| 1.2.1 直接制备固态纳米孔研究进展 | 第9-12页 |
| 1.2.2 纳米孔收缩技术研究进展 | 第12-13页 |
| 1.3 本论文的主要内容 | 第13-14页 |
| 1.4 本章小结 | 第14-16页 |
| 第二章 体微加工技术与单晶硅的湿法刻蚀研究 | 第16-27页 |
| 2.1 体微加工技术 | 第16-19页 |
| 2.1.1 各向同性湿法刻蚀 | 第17-18页 |
| 2.1.2 各向异性刻蚀理论 | 第18-19页 |
| 2.2 单晶硅晶体结构 | 第19-21页 |
| 2.3 各向异性刻蚀的原理 | 第21-23页 |
| 2.4 单晶硅各向异性刻蚀最简单情况的规则 | 第23-26页 |
| 2.4.1 各向异性刻蚀模型分析 | 第23-25页 |
| 2.4.2 各向异性刻蚀实验分析 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 纳米孔刻蚀工艺和阵列均匀性分析 | 第27-44页 |
| 3.1 单晶硅各向异性刻蚀剂的选择 | 第27-29页 |
| 3.2 刻蚀掩膜层的选择 | 第29-30页 |
| 3.3 刻蚀剂浓度对刻蚀速率的影响 | 第30-31页 |
| 3.4 刻蚀剂温度对刻蚀速率的影响 | 第31-32页 |
| 3.5 湿法刻蚀制备纳米孔阵列均匀性分析 | 第32-43页 |
| 3.5.1 湿法刻蚀硅纳米孔误差计算分析 | 第32-35页 |
| 3.5.2 硅各向异性刻蚀误差理论分析 | 第35-37页 |
| 3.5.3 湿法刻蚀硅纳米孔误差实验分析 | 第37-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 基于SOI的硅基纳米孔制备 | 第44-58页 |
| 4.1 MEMS器件制作单步工艺 | 第44-45页 |
| 4.1.1 SOI基底 | 第44-45页 |
| 4.1.2 光刻工艺 | 第45页 |
| 4.2 SOI硅基纳米孔制备版图设计 | 第45-49页 |
| 4.2.1 版图设计规则 | 第46页 |
| 4.2.2 SOI硅基锥形纳米孔版图介绍 | 第46-49页 |
| 4.3 纯湿法制备纳米孔 | 第49-52页 |
| 4.3.1 纯湿法制备纳米孔实验仪器 | 第49-50页 |
| 4.3.2 纯湿法制备纳米孔工艺流程 | 第50-51页 |
| 4.3.3 450场发射扫描电镜操作 | 第51-52页 |
| 4.4 颜色反馈法检测纳米孔开孔 | 第52-54页 |
| 4.5 湿法刻蚀制备纳米孔理论分析 | 第54-55页 |
| 4.6 实验结果与讨论 | 第55-57页 |
| 4.7 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 磁控溅射收缩纳米孔技术 | 第58-68页 |
| 5.1 磁控溅射原理 | 第58-59页 |
| 5.2 磁控溅射分类及实验设备 | 第59-60页 |
| 5.3 缩孔理论模型 | 第60-62页 |
| 5.4 纳米孔收缩工艺流程 | 第62-63页 |
| 5.5 实验结果与讨论 | 第63-67页 |
| 5.6 本章总结 | 第67-68页 |
| 第六章 全文总结及展望 | 第68-71页 |
| 6.1 本研究的主要成果 | 第68-69页 |
| 6.2 本研究的创新点 | 第69页 |
| 6.3 研究工作的展望 | 第69-71页 |
| 附录 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
