| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-31页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 典型二维材料 | 第13-18页 |
| 1.2.1 典型二维材料的晶体和电子结构 | 第13-17页 |
| 1.2.2 典型二维材料的光学性质 | 第17-18页 |
| 1.3 二维拓扑绝缘体 | 第18-23页 |
| 1.3.1 量子自旋霍尔效应 | 第18-20页 |
| 1.3.2 二维拓扑绝缘体 | 第20-21页 |
| 1.3.3 HgTe/CdTe量子阱结构和Bernevig-Hughes-Zhang (BHZ)模型 | 第21-23页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-31页 |
| 第二章 理论基础 | 第31-53页 |
| 2.1 k·p有效质量理论 | 第31-40页 |
| 2.1.1 k·p方法简介 | 第31-32页 |
| 2.1.2 k·p方程 | 第32-34页 |
| 2.1.3 简单能带k·p理论 | 第34-36页 |
| 2.1.4 简并能带k·p理论(Kane四带模型) | 第36-40页 |
| 2.2 吸收系数推导 | 第40-51页 |
| 2.2.1 费米黄金定则法 | 第40-43页 |
| 2.2.2 密度矩阵法 | 第43-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 第三章 电场驱动Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe量子阱拓扑相变引致的光吸收增强 | 第53-64页 |
| 3.1 引言 | 第53-54页 |
| 3.2 理论模型 | 第54-56页 |
| 3.3 八带计算结果分析 | 第56-60页 |
| 3.3.1 电场驱动CdTe/Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe量子阱拓扑相变 | 第56-57页 |
| 3.3.2 拓扑相变引致的光吸收增强 | 第57-60页 |
| 3.4 Bernevig-Hughes-Zhang (BHZ)模型吸收系数解析计算和分析 | 第60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第四章 二维材料光吸收的一般性考虑 | 第64-82页 |
| 4.1 引言 | 第64-65页 |
| 4.2 理论模型 | 第65-70页 |
| 4.2.1 吸收系数的一般形式 | 第65-67页 |
| 4.2.2 二维材料的低能有效哈密顿量 | 第67-70页 |
| 4.3 结果讨论 | 第70-78页 |
| 4.3.1 直接带隙带边吸收率和普适吸收 | 第70-72页 |
| 4.3.2 二维各向同性能带结构材料的吸收系数 | 第72-74页 |
| 4.3.3 二维材料能带各项异性和能带扭曲的影响 | 第74-78页 |
| 4.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 第五章 总结与展望 | 第82-84页 |
| 附录 硕士期间科研成果 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
