摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-20页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.2 ZnO材料的基本性质 | 第11-15页 |
1.2.1 ZnO的基本性质 | 第11页 |
1.2.2 ZnO的晶格结构 | 第11-12页 |
1.2.3 ZnO的能带结构 | 第12-14页 |
1.2.4 ZnO的光电性质 | 第14-15页 |
1.3 ZnO微米管研究现状 | 第15-18页 |
1.3.1 氧化锌微米管概述 | 第15-16页 |
1.3.2 氧化锌微米管的制备方法 | 第16-17页 |
1.3.3 ZnO微米管的掺杂 | 第17-18页 |
1.4 本论文的研究内容 | 第18-20页 |
第2章 超薄壁ZnO单晶微米管制备的研究 | 第20-40页 |
2.1 ZnO微米管的制备流程 | 第20-23页 |
2.2 ZnO微米管形成过程的研究 | 第23-26页 |
2.3 ZnO微米管基本性质的研究 | 第26-28页 |
2.4 ZnO陶瓷棒烧结温度对生长氧化锌微米管的影响 | 第28-36页 |
2.4.1 ZnO陶瓷棒烧结温度对于陶瓷棒的影响 | 第28-30页 |
2.4.2 ZnO陶瓷棒烧结温度对于ZnO微米管的影响 | 第30-34页 |
2.4.3 ZnO陶瓷棒不同烧结温度的模拟 | 第34-36页 |
2.5 生长时间对生长ZnO微米管的影响 | 第36-38页 |
2.5.1 生长时间对实现超薄壁ZnO单晶微米管的影响 | 第36-37页 |
2.5.2 超薄壁ZnO单晶微米管形成过程中入射光分布的数值模拟 | 第37-38页 |
2.6 本章小结 | 第38-40页 |
第3章 实现快速生长ZnO微米管的研究 | 第40-46页 |
3.1 探究粉料的处理对生长ZnO单晶微米管的影响 | 第40-41页 |
3.2 原位光学气相过饱和析出法制备ZnO微米管 | 第41-42页 |
3.3 光学预烧时间对于生长ZnO微米管的影响 | 第42-44页 |
3.3.1 光学预烧时间对ZnO微米管形貌的影响 | 第42-43页 |
3.3.2 光学预烧时间对ZnO微米管物性的影响 | 第43-44页 |
3.4 OVSP法和IOVSP生长ZnO微米管的效率对比 | 第44-45页 |
3.5 本章小结 | 第45-46页 |
第4章 Al掺杂改性ZnO单晶微米管的研究 | 第46-54页 |
4.1 Al掺杂ZnO微米管的制备 | 第46-48页 |
4.1.1 掺杂改性的目的 | 第46页 |
4.1.2 Al掺杂ZnO微米管的制备流程 | 第46-48页 |
4.2 Al掺杂对于ZnO微米管的影响 | 第48-53页 |
4.2.1 掺杂浓度对于ZnO微米管成分的影响 | 第48-49页 |
4.2.2 掺杂浓度对于ZnO微米管物相结构的影响 | 第49-50页 |
4.2.3 掺杂浓度对于ZnO微米管拉曼震动模式的影响 | 第50-51页 |
4.2.4 掺杂浓度对于ZnO微米管发光特性的影响 | 第51-52页 |
4.2.5 掺杂浓度对于ZnO微米管电阻率的影响 | 第52-53页 |
4.3 本章小结 | 第53-54页 |
结论与展望 | 第54-56页 |
参考文献 | 第56-62页 |
攻读硕士学位期间申请的专利和发表的论文 | 第62-64页 |
致谢 | 第64页 |